| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | バンド理論を用いて半導体の種類とダイオード、トランジスタおよび電界効果トランジスタの特性を説明できる. | 半導体の種類とダイオード、トランジスタおよび電界効果トランジスタの構造と特性を説明できる. | 半導体の種類とダイオード、トランジスタおよび電界効果トランジスタの構造と特性を説明できない. |
評価項目2 | | トランジスタ増幅回路のしくみと動作を説明でき、バイアス回路と交流回路に分けることができる. | トランジスタ増幅回路のしくみと動作を説明できず、またバイアス回路と交流回路に分けることができない. |
評価項目3 | | バイアスと動作点を求めることができ、特性図を用いて増幅度を計算できる. | バイアスと動作点を求めることができず、また特性図を用いて増幅度を計算できない. |
評価項目4 | トランジスタの等価回路を用いて、増幅回路全体の増幅度と入出力インピーダンスを計算できる. | トランジスタの等価回路を用いて増幅度を計算できる. | トランジスタ等価回路を用いて増幅度を計算できない. |
評価項目5 | 簡単なバイアス回路の設計ができ、結合コンデンサによる遮断周波数への影響を数式で説明できる. | バイアスの変化と周波数による特性への影響を説明できる. | バイアスの変化と周波数による特性への影響を説明できない. |
評価項目6 | 負帰還回路の増幅度と演算増幅回路の演算動作を数式で説明することできる. | 負帰還増幅回路と演算増幅回路の特徴を説明できる. | 負帰還増幅回路と演算増幅回路の特徴を説明できない. |