レーザ光の発振原理と特徴ならびに光半導体や光ファイバについて学び、レーザ光を用いることにより、自然光では実現不可能であった光計測機器・システムについて理解できることを目標とする。
概要:
自然光とレーザ光の特徴を概念的に捉え、レーザ光が単色性、指向性、集光性、干渉性に優れていることやレーザの発振原理、レーザを利用するに当たって不可欠な光ファイバや光半導体ならびにそれらを応用した光計測・通信、光メモリなどの装置について学習する。
授業の進め方・方法:
試験70%、授業態度・学習への取り組み方30%を総合的に評価し、総合評価60点以上を合格とする。試験は各達成目標に対応した内容の問題を出題する。試験問題のレベルは教科書と同程度とする。
注意点:
関数電卓を講義で使用するときがある。
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子工学 | 電子の電荷量や質量などの基本性質を説明できる。 | 4 | 前4 |
電子の電荷量や質量などの基本性質を説明できる。 | 4 | 前4 |
エレクトロンボルトの定義を説明し、単位換算等の計算ができる。 | 4 | 前3 |
エレクトロンボルトの定義を説明し、単位換算等の計算ができる。 | 4 | 前3 |
原子の構造を説明できる。 | 4 | 前3 |
原子の構造を説明できる。 | 4 | 前3 |
結晶、エネルギーバンドの形成、フェルミ・ディラック分布を理解し、金属と絶縁体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 4 | 前4 |
結晶、エネルギーバンドの形成、フェルミ・ディラック分布を理解し、金属と絶縁体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 4 | 前4 |
金属の電気的性質を説明し、移動度や導電率の計算ができる。 | 4 | 前4 |
金属の電気的性質を説明し、移動度や導電率の計算ができる。 | 4 | 前4 |
真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 4 | 前4 |
真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 4 | 前4 |
半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 4 | 前4 |
半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 4 | 前4 |
pn接合の構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流―電圧特性を説明できる。 | 4 | 前4 |
pn接合の構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流―電圧特性を説明できる。 | 4 | 前4 |
バイポーラトランジスタの構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。 | 4 | |
バイポーラトランジスタの構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。 | 4 | |
電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。 | 4 | |
電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。 | 4 | |