| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 物質中の電子の基本的性質や準位について説明し，計算することができる。 | 物質中の電子の基本的性質や準位について説明できる。 | 物質中の電子の基本的性質や準位について説明できない。 |
| 評価項目2 | 真性半導体と不純物半導体のエネルギーバンド図について説明し，計算することができる。 | 真性半導体と不純物半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 真性半導体と不純物半導体のエネルギーバンド図を説明できない。 |
| 評価項目3 | キャリア濃度や電子・正孔のふるまいについて説明し，計算することができる。 | キャリア濃度や電子・正孔のふるまいについて説明できる。 | キャリア濃度や電子・正孔のふるまいについて説明できない。 |
| 評価項目4 | pn接合の構造を理解し，エネルギーバンド図を用いて接合の電流‐電圧特性について説明し，計算することができる。 | pn接合の構造を理解し，エネルギーバンド図を用いて接合の電流‐電圧特性を説明できる。 | pn接合の構造を理解し，エネルギーバンド図を用いて接合の電流‐電圧特性を説明できない。 |
| 評価項目5 | 金属-半導体の接触について説明し，計算することができる。 | 金属-半導体の接触について説明できる。 | 金属-半導体の接触について説明できない。 |
| 評価項目6 | バイポーラトランジスタおよび電界効果トランジスタの構造と原理について説明し，計算することができる。 | バイポーラトランジスタおよび電界効果トランジスタの構造と原理について説明できる。 | バイポーラトランジスタおよび電界効果トランジスタの構造と原理について説明できない。 |