到達目標
1.光エレクトロニクスデバイスの原理・構造・使用方法などの特徴を説明できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 光エレクトロニクスデバイスの原理・構造・使用方法などの特徴を説明できる。データシートを読み解くことができる。 | 光エレクトロニクスデバイスの原理・構造・使用方法などの特徴を説明できる。 | 光エレクトロニクスデバイスの原理・構造・使用方法のうち、いずれかが説明できない。 |
| 評価項目2 | | | |
| 評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
専攻科課程教育目標、JABEE学習教育到達目標 SA① 数学・物理・化学などの自然科学、情報技術に関する共通基礎を理解できる。
専攻科課程教育目標、JABEE学習教育到達目標 SA② 自主的・継続的な学習を通じて、共通基礎科目に関する問題を解決できる。
専攻科課程教育目標、JABEE学習教育到達目標 SB① 共通基礎知識を用いて、専攻分野における設計・製作・評価・改良など生産に関わる専門工学の基礎を理解できる。
専攻科課程教育目標、JABEE学習教育到達目標 SB② 自主的・継続的な学習を通じて、専門工学の基礎科目に関する問題を解決できる。
教育方法等
概要:
各種受発光素子やレーザダイオードなど、半導体による光エレクトロニクスデバイスに関する原理・構造・使用方法などの特徴について学ぶ。
授業の進め方・方法:
配布プリントを用いて授業を行う。
注意点:
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
半導体の基礎 |
半導体の基礎知識を確認する。
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| 2週 |
半導体のエネルギーバンド図 |
直接・間接遷移型半導体の特徴とバンド図を理解する。
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| 3週 |
化合物半導体 |
化合物半導体の種類と特徴を理解する。
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| 4週 |
レーザの発振原理 |
反転分布、誘導放出等レーザ発振に必要な現象を理解する。
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| 5週 |
同上
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同上
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| 6週 |
半導体レーザ |
半導体レーザの発振原理を理解する。
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| 7週 |
半導体レーザの回路 |
半導体レーザの回路を測定し、半導体レーザに対する理解を深める。
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| 8週 |
前半のまとめ |
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| 2ndQ |
| 9週 |
光ディスク |
半導体レーザの応用機器の特徴を理解する。
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| 10週 |
LED |
各種LEDの特徴を理解する。
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| 11週 |
LED |
各種LEDの特徴を理解する。
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| 12週 |
ディスプレイ |
LCDディスプレイなどの特徴を理解する。
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| 13週 |
各種受光素子 |
フォトダイオード、フォトトランジスタ、アバランシェフォトダイオード等の特徴を理解する。
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| 14週 |
イメージセンサ |
CCDやCMOSイメージセンサの原理・特徴を理解する。
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| 15週 |
期末試験 |
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| 16週 |
答案返却、解説 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子工学 | 電子の電荷量や質量などの基本性質を説明できる。 | 5 | 前5 |
| エレクトロンボルトの定義を説明し、単位換算等の計算ができる。 | 5 | 前5 |
| 真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 5 | 前2 |
| 半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 5 | 前2 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 課題への取組 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 70 | 0 | 30 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 70 | 0 | 30 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |