到達目標
最新の研究内容を通して半導体の物性について説明できるようになる。異なる半導体材料の特徴や種類について説明できるようになる。種々の半導体デバイスの特徴と種類について説明できるようになる。デバイスなどを形成する上で重要になる要素技術を説明できるようになる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 半導体の物理特性が説明できる。 | 半導体の物理特性がおおよそ説明できる。 | 半導体の物理特性が説明できない。 |
| 評価項目2 | 種々の半導体デバイスの特徴などが説明できる。 | 種々の半導体デバイスの特徴などがおおよそできる。 | 種々の半導体デバイスの特徴などができない。 |
| 評価項目3 | デバイス形成のための要素技術を説明できる。 | デバイス形成のための要素技術を説明おおよそできる。 | デバイス形成のための要素技術を説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 A-3
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JABEE b
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JABEE d
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JABEE e
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教育方法等
概要:
最新の研究内容などを通して、種々の半導体材料やデバイス、それらを形成する要素技術を学ぶ。
授業の進め方・方法:
配布プリントをつかった講義形式。
注意点:
特にない
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
固体物性基礎 |
固体物性基礎について説明ができる様になる。
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| 2週 |
次世代半導体の物性 |
次世代半導体の物性について説明ができる様になる。
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| 3週 |
半導体デバイス |
半導体デバイスについて説明ができる様になる。
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| 4週 |
太陽電池 |
太陽電池について説明ができる様になる。
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| 5週 |
プラズマ技術基礎 |
プラズマ技術基礎について説明ができる様になる。
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| 6週 |
革新的プラズマプロセス技術 |
革新的プラズマプロセス技術について説明ができる様になる。
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| 7週 |
半導体製造前工程① |
半導体製造前工程について説明ができる様になる。
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| 8週 |
集積化センサー・MEMSセンサー |
集積化センサー・MEMSセンサーについて説明ができる様になる。
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| 4thQ |
| 9週 |
半導体製造後工程 |
半導体製造後工程について説明ができる様になる。
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| 10週 |
３次元積層集積回路、先端電子実装 |
３次元積層集積回路、先端電子実装について説明ができる様になる。
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| 11週 |
半導体製造前工程② |
半導体製造前工程について説明ができる様になる。
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| 12週 |
Si/Ge CMOSプロセス技術開発 |
Si/Ge CMOSプロセス技術開発について説明ができる様になる。
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| 13週 |
機能性材料 |
機能性材料について説明ができる様になる。
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| 14週 |
グラフェンをはじめとする二次元材料の成膜技術と応用研究 |
グラフェンをはじめとする二次元材料の成膜技術と応用研究について説明ができる様になる。
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| 15週 |
まとめ |
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| 16週 |
期末試験 |
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評価割合
| 試験 | 課題 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 60 | 40 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 20 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 40 |
| 専門的能力 | 20 | 10 | 0 | 0 | 0 | 0 | 30 |
| 分野横断的能力 | 20 | 10 | 0 | 0 | 0 | 0 | 30 |