Course Objectives
１．半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造および動作原理が説明できる。
２．トランジスタの等価回路が説明できる。
３．トランジスタ、FET、オペアンプによる小信号増幅回路の設計ができる。
Rubric
| 理想的な到達レベル | 標準的な到達レベル | 最低限到達したいレベル（可） |
| 到達目標1 | 半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造および動作原理を理解する。 | 半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造が説明できる。 | 半導体素子が判断できる。 |
| 到達目標2 | トランジスタの等価回路を用いて増幅率が計算できる。 | トランジスタの等価回路が描ける。 | |
| 到達目標3 | トランジスタ、FET、オペアンプによる増幅回路の設計ができ、素子を選択できる。 | トランジスタ、FET、オペアンプによる小信号増幅回路の計算ができる。 | |
Assigned Department Objectives
Teaching Method
Outline:
電子回路を学ぶ上で必要なダイオードやトランジスタ、FETなどの半導体素子の種類や構造、動作原理を学習する．また、これら半導体素子を利用した回路のうち、基本となる増幅回路を学習する。
Style:
Notice:
これまでに習った専門分野の講義や実験の基礎知識の定着に加え、半導体素子を例にとりながら授業を進める。また、今後の回路設計などに活かせられるような内容にする。それぞれの素子や回路の特徴をその都度、理解すること。毎回の授業ではノート課題を提出し確認する。
Course Plan
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Theme |
Goals |
| 2nd Semester |
| 3rd Quarter |
| 1st |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 2nd |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 3rd |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 4th |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 5th |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 6th |
増幅回路 |
トランジスタの静特性を学習する。
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| 7th |
【後期中間試験】 |
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| 8th |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 4th Quarter |
| 9th |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 10th |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 11th |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 12th |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 13th |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 14th |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 15th |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 16th |
【後期期末試験】 |
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Evaluation Method and Weight (%)
| 定期試験 | 小テスト | レポート・課題 | 発表 | その他 | Total |
| Subtotal | 60 | 0 | 40 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 10 | 0 | 10 | 0 | 0 | 20 |
| 専門的能力 | 50 | 0 | 30 | 0 | 0 | 80 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |