到達目標
１．半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造および動作原理を理解する。
２．トランジスタの等価回路を理解する。
３．トランジスタ、FET、オペアンプによる小信号増幅回路の設計ができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造および動作原理を理解する。 | 半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造が説明できる。 | 左記のレベルに到達していない。 |
| 評価項目2 | トランジスタの等価回路を用いて増幅率が計算できる。 | トランジスタの等価回路がかける。 | 左記のレベルに到達していない。 |
| 評価項目3 | トランジスタ、FET、オペアンプによる増幅回路の設計ができ、素子を選択できる。 | トランジスタ、FET、オペアンプによる小信号増幅回路の計算ができる。 | 左記のレベルに到達していない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
電子回路を学ぶ上で必要なダイオードやトランジスタ、FETなどの半導体素子の種類や構造、動作原理を学習する．また、これら半導体素子を利用した回路のうち、基本となる増幅回路を学習する。
授業の進め方・方法:
注意点:
これまでに習った専門分野の講義や実験の基礎知識の定着に加え、半導体素子を例にとりながら授業を進める。また、今後の回路設計などに活かせられるような内容にする。それぞれの素子や回路の特徴をその都度、理解すること。毎回の授業ではノート課題を提出し確認する。
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を理解する。
|
| 2週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を理解する。
|
| 3週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を理解する。
|
| 4週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を理解する。
|
| 5週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を理解する。
|
| 6週 |
増幅回路 |
トランジスタの静特性を理解する。
|
| 7週 |
後期中間試験 |
|
| 8週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を理解する。
|
| 4thQ |
| 9週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を理解する。
|
| 10週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を理解する。
|
| 11週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を理解する。
|
| 12週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を理解する。
|
| 13週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を理解する。
|
| 14週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を理解する。
|
| 15週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を理解する。
|
| 16週 |
後期期末試験
答案返却 |
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 60 | 0 | 0 | 0 | 40 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 10 | 0 | 0 | 0 | 10 | 0 | 20 |
| 専門的能力 | 50 | 0 | 0 | 0 | 30 | 0 | 80 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |