| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 半導体結晶の背景と性質を理解して、「バンド構造」の意味を明確に説明ができる。 | 半導体結晶の背景と性質を理解して、「バンド構造」についての概要を説明ができる。 | 半導体結晶の背景と性質について全く説明できない。 |
評価項目2 | 半導体結晶の成長方法を理解して、「分子線エピタキシィ」の動作原理を明確に説明ができる。 | 半導体結晶の成長方法を理解して、「分子線エピタキシィ」についての概要を説明ができる。 | 半導体結晶の成長方法の種類と特長を全く説明できない。 |
評価項目3 | 半導体結晶の評価方法を理解して、「走査型トンネル顕微鏡」の動作原理が明確に説明ができる。 | 半導体結晶の評価方法を理解して、「走査型トンネル顕微鏡」についての概要を説明ができる。 | 半導体結晶の評価方法の種類と特長を全く説明できない。 |
評価項目4 | 半導体量子ドット結晶について、その原理と応用を明確に説明ができる。 | 半導体量子ドット結晶について、その利用目的と方法についての概要を説明ができる。 | 半導体量子ドット結晶の特長について全く説明できない。 |