到達目標
1.半導体素子(ダイオード、トランジスタ、FET)の構造および動作原理が説明できる。
2.トランジスタの等価回路を描き、説明できる。
3.トランジスタ等による小信号増幅回路の設計ができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベル(優) | 標準的な到達レベル(良) | 最低限の到達レベル(可) |
到達目標1 | 半導体素子(ダイオード、トランジスタ、FET)の構造および動作原理を理解し、説明できる。 | 半導体素子(ダイオード、トランジスタ、FET)の構造および動作原理が説明できる。 | 半導体素子(ダイオード、トランジスタ、FET)の構造が説明できる。 |
到達目標2 | トランジスタの等価回路を用いて増幅率が計算できる。 | トランジスタの等価回路を描き、説明できる。 | トランジスタの等価回路が描ける。 |
到達目標3 | トランジスタ等による小信号増幅回路の設計ができ、素子を選択できる。 | トランジスタ等による小信号増幅回路の設計ができる。 | トランジスタ等による小信号増幅回路について説明できる。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
電子回路を学ぶ上で必要なダイオードやトランジスタ、FETなどの半導体素子の種類や構造、動作原理を学習する。また、これら半導体素子を利用した回路のうち、基本となる増幅回路を学習する。
授業の進め方・方法:
講義形式だけでなく、必要に応じて反転授業、演習、実験なども組み合わせて授業を進める。
この科目は学修単位のため、事前・事後学習としてレポート等を実施する。
【授業時間30時間+自学自習時間60時間】
注意点:
すでに電気回路および電気磁気学の知識を習得していることが望ましい。これらの知識をもとに授業を進めるため、その都度必要な基礎知識は事前に勉強しておくようにしてください。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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2週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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3週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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4週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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5週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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6週 |
増幅回路 |
トランジスタの静特性を学習する。
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7週 |
【中間試験】 |
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8週 |
増幅回路 |
トランジスタ等の様々な増幅回路を学習する。
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2ndQ |
9週 |
増幅回路 |
トランジスタ等の様々な増幅回路を学習する。
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10週 |
増幅回路 |
トランジスタ等の様々な増幅回路を学習する。
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11週 |
増幅回路 |
トランジスタ等の様々な増幅回路を学習する。
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12週 |
増幅回路 |
トランジスタ等の様々な増幅回路を学習する。
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13週 |
増幅回路 |
トランジスタ等の様々な増幅回路を学習する。
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14週 |
増幅回路 |
トランジスタ等の様々な増幅回路を学習する。
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15週 |
増幅回路 |
トランジスタ等の様々な増幅回路を学習する。
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16週 |
【期末試験】 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 定期試験 | 小テスト | ポートフォリオ | 発表・取り組み姿勢 | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 60 | 10 | 30 | 0 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 10 | 0 | 10 | 0 | 0 | 20 |
専門的能力 | 50 | 10 | 20 | 0 | 0 | 80 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |