量子エレクトロニクス

科目基礎情報

学校 富山高等専門学校 開講年度 平成28年度 (2016年度)
授業科目 量子エレクトロニクス
科目番号 0022 科目区分 専門 / 選択
授業形態 授業 単位の種別と単位数 学修単位: 2
開設学科 制御情報システム工学専攻 対象学年 専1
開設期 後期 週時間数 2
教科書/教材 例題で学ぶ光エレクトロニクス入門、樋口英世、森北出版
担当教員 由井 四海

到達目標

ルーブリック

理想的な到達レベルの目安標準的な到達レベルの目安未到達レベルの目安
評価項目1
評価項目2
評価項目3

学科の到達目標項目との関係

JABEE B2 説明 閉じる

教育方法等

概要:
学習目標(授業の狙い)
(1)目標 量子エレクトロニクスを光エレクトロニクスの観点から学習する。
(2)概要 量子エレクトロニクスは半導体工学や光工学の基礎となる学問である。定性的に理解したのち、具体的な数値計算を行うことで理解度を深める。また、その特徴を生かした応用分野についても知識を蓄積する。
授業の進め方・方法:
教員単独による講義を実施する。
注意点:
課題を20%,試験を80%として評価する.

授業計画

授業内容 週ごとの到達目標
後期
3rdQ
1週 光エレクトロニクス イントロダクション
2週 波の基本的性質 波(光)の基本的な性質の整理
3週 光と電磁波 マクスウェル方程式の復習と波動方程式の導出
4週 偏光 偏光の基本的な性質と振る舞いを学習
5週 光導波路と光ファイバ 光導波路と光ファイバの原理と構造を学習
6週 レーザ光 レーザー光の性質について概観
7週 レーザ光の発生 光と物質の相互作用とレーザー光の発生について学習
8週 各種レーザ ガスレーザや固体レーザーの原理や構造について学ぶ
4thQ
9週 半導体の基本的事項 光デバイスで利用される半導体の基本的事項について学ぶ
10週 発光ダイオード 実用化されている発光ダイオードの原理や構造、特性について学ぶ
11週 半導体レーザ 半導体レーザの動作原理と特性について学ぶ
12週 受光素子 光を電気信号や電気エネルギーに変換する受光素子について学ぶ
13週 光制御素子 発生した光の強度を変調したり、光制御を行うデバイスについて学ぶ
14週 光エレクトロニクスの応用 光エレクトロニクスの主な応用例の原理や構造について学ぶ
15週 期末試験
16週 答案返却、解説、授業アンケート等

モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標

分類分野学習内容学習内容の到達目標到達レベル授業週

評価割合

試験発表相互評価態度ポートフォリオその他合計
総合評価割合80000200100
基礎的能力80000200100
専門的能力0000000
分野横断的能力0000000