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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
ガイダンス (1.0h)
原子内の電子（コア）(1.0h) |
・電子工学の概要と評価方法がわかる。
・エネルギー準位について説明し、計算できる。
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| 2週 |
原子内の電子（コア）(2.0h) |
・エネルギー準位について説明し、計算できる。
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| 3週 |
原子内の電子（コア）(2.0h) |
・エネルギー準位について説明し、計算できる。
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| 4週 |
エネルギーバンド構造・準位（コア）(2.0h) |
・エネルギーバンドとフェルミ準位、自由電子と正孔について説明できる。
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| 5週 |
エネルギーバンド構造・準位（コア）(2.0h) |
・エネルギーバンドとフェルミ準位、自由電子と正孔について説明できる。
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| 6週 |
真性半導体と不純物半導体（コア）(2.0h) |
・エネルギーバンドを描いて、多数キャリア、少数キャリアについて説明できる。不純物の種類、密度とキャリア密度の関係を計算できる。
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| 7週 |
半導体内の電気伝導(2.0h) |
・ドリフト電流、拡散電流について説明し、計算できる。
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| 8週 |
中間試験(2.0h) |
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| 2ndQ |
| 9週 |
試験答案返却・解答解説(1.0h)
ホール効果(1.0h) |
・間違った問題の正答を求めることができる
・ホール効果の原理を理解し、ホール係数を計算できる。
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| 10週 |
ホール効果(1.0h)
pn接合と整流作用（コア）(1.0h) |
・ホール効果の原理を理解し、ホール係数を計算できる。
・pn接合のエネルギーバンドを描き、整流作用を説明できる。
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| 11週 |
pn接合と整流作用（コア）(2.0h) |
・pn接合のエネルギーバンドを描き、整流作用を説明できる。
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| 12週 |
pn接合と整流作用（コア）(1.0h)
pn接合の降伏現象(1.0h) |
・pn接合のエネルギーバンドを描き、整流作用を説明できる。
・降伏現象を説明できる。
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| 13週 |
pn接合の降伏現象(1.0h)
半導体と金属の接触(1.0h) |
・降伏現象を説明できる。
・エネルギーバンドにより整流作用とオーム接触を説明できる。
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| 14週 |
半導体と金属の接触(1.0h)
pn接合の静電容量(1.0h) |
・エネルギーバンドにより整流作用とオーム接触を説明できる。
・空乏層の電界、電位と静電容量の関係を説明できる。
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| 15週 |
期末試験 |
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| 16週 |
試験答案返却・解答解説(2.0h) |
・間違った問題の正答を求めることができる
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| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子工学 | 電子の電荷量や質量などの基本性質を説明できる。 | 4 | 前1,前2 |
| エレクトロンボルトの定義を説明し、単位換算等の計算ができる。 | 4 | 前1,前2 |
| 原子の構造を説明できる。 | 4 | 前1,前2 |
| パウリの排他律を理解し、原子の電子配置を説明できる。 | 4 | 前1,前2 |
| 結晶、エネルギーバンドの形成、フェルミ・ディラック分布を理解し、金属と半導体、絶縁体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 4 | 前1,前2,前4,前5,前6,前7,前9,前10,前11,前12,前13,前14 |
| 金属の電気的性質を説明し、移動度や導電率を計算できる。 | 4 | 前1,前2,前4,前5,前6,前7,前9,前10,前11,前12,前13,前14 |
| 真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 4 | 前1,前2,前4,前5,前6,前7,前9,前10,前11,前12,前13,前14 |
| 半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 4 | 前1,前2,前4,前5,前6,前7,前9,前10,前11,前12,前13,前14 |
| pn接合の構造や動作を説明できる。 | 4 | 前1,前2,前4,前5,前6,前7,前9,前10,前11,前12,前13,前14 |
| バイポーラトランジスタの構造や動作を説明できる。 | 4 | 前1,前2,前4,前5,前6,前7,前9,前10,前11,前12,前13,前14 |
| 電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。 | 4 | 前1,前2,前4,前5,前6,前7,前9,前10,前11,前12,前13,前14 |