到達目標
1)増幅の意味と電子回路に関する基礎的な用語について説明できる。
2)ダイオードの特性を理解し,説明できる。
3)トランジスタ増幅回路の働きとその動作原理を理解し,説明できる。
4)FET増幅回路の動作原理を理解し,説明できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 電子回路に関する基礎的な用語について教科書を見ずに説明できる。 | 電子回路に関する基礎的な用語について教科書を見ながら説明できる。 | 電子回路に関する基礎的な用語について説明できない。 |
評価項目2 | ダイオードの特性を教科書を見ずに説明できる。 | ダイオードの特性を教科書を見ながら説明できる。 | ダイオードの特性を説明できない。 |
評価項目3 | トランジスタ増幅回路の動作原理を教科書を見ずに説明できる。 | トランジスタ増幅回路の動作原理を教科書を見ながら説明できる。 | トランジスタ増幅回路の動作原理を説明できない。 |
評価項目4 | FET増幅回路の動作原理を教科書を見ずに説明できる。 | FET増幅回路の動作原理を教科書を見ながら説明できる。 | FET増幅回路の動作原理を説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
実用的な電子回路の知識の習得を目指し,基本的なトランジスタ増幅回路とFET増幅回路について学習する。
授業の進め方・方法:
講義は座学中心であるが,講義内容の理解度を深めるため,実験演習を実施することもある。
達成目標に関する内容の試験および演習・課題レポートで総合的に達成度を評価する。割合は,定期試験50%,小テスト30%,演習課題20%とし,合格点は60点以上である。また再試験を行う場合がある。
注意点:
第3学年で学習した電子デバイスⅠの内容が基礎となるため,特にダイオードとトランジスタ素子の物性論的な動作原理はよく復習しておくこと。
予習と復習を含めて60時間の自学自習時間を必要とする。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
電子回路について |
信号増幅について説明できる。
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2週 |
電子回路で用いる用語について |
電子回路の用語を説明できる。
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3週 |
ダイオード |
小信号ダイオードの電流-電圧特性を説明できる。
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4週 |
トランジスタの動作 |
トランジスタの動作を説明できる。
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5週 |
トランジスタの静特性 |
トランジスタの静特性を説明できる。
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6週 |
増幅回路の基礎 |
各種の接地回路の特徴を説明できる。
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7週 |
バイアス回路 |
バイアス回路を設計できる。
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8週 |
直流等価回路と2端子対回路 |
直流等価モデルを説明でき,利得,入出力インピーダンスの概念を説明できる。
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2ndQ |
9週 |
交流等価回路と周波数特性 |
交流等価回路を説明できる。周波数帯域などの基礎事項が説明できる。
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10週 |
エミッタ接地増幅回路 |
エミッタ接地増幅回路を解析し,設計できる。主要なバイアス回路の種類を説明できる。
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11週 |
コレクタ接地増幅回路 |
コレクタ接地増幅回路をを解析し,設計できる。
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12週 |
FETの動作 |
FETについて説明できる。
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13週 |
FETの静特性 |
FETの静特性を説明できる。
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14週 |
FETのバイアス回路 |
FETのバイアス回路を設計できる。
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15週 |
FETの交流等価回路 |
FETの交流等価回路を説明できる。
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16週 |
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評価割合
| 試験 | 小テスト | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | 課題 | 合計 |
総合評価割合 | 50 | 30 | 0 | 0 | 0 | 20 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 50 | 30 | 0 | 0 | 0 | 20 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |