| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
1.バンドモデルを用いて金属・半導体・絶縁体の電気伝導性,圧電性・逆圧電性・焦電性及び履歴曲線を用いて強誘電体の強誘電体の電場と分極率の関係を説明できる。 | バンドモデルを用いて金属・半導体・絶縁体の電気伝導性,圧電性・逆圧電性・焦電性及び履歴曲線を用いて強誘電体の強誘電体の電場と分極率の関係を説明できる。 | バンドモデルを用いて金属・半導体・絶縁体の電気伝導性,圧電性・逆圧電性・焦電性及び履歴曲線を用いて強誘電体の強誘電体の電場と分極率の関係の基本的な説明ができる。 | バンドモデルを用いて金属・半導体・絶縁体の電気伝導性,圧電性・逆圧電性・焦電性及び履歴曲線を用いて強誘電体の強誘電体の電場と分極率の関係の基本的な説明ができない。 |
2.強磁性・フェリ磁性・反強磁性の説明ができる。 | 強磁性・フェリ磁性・反強磁性の説明ができる。 | 強磁性・フェリ磁性・反強磁性の基本的な説明ができる。 | 強磁性・フェリ磁性・反強磁性の基本的な説明ができない。 |
3.光の屈折,全反射及び複屈折を説明できる。 | 光の屈折,全反射及び複屈折を説明できる。 | 光の屈折,全反射及び複屈折の基本的な説明ができる。 | 光の屈折,全反射及び複屈折の基本的な説明ができない。 |
4.物質に応力を印加した際の代表的な挙動(弾性変形,塑性変形)を説明できる。 | 物質に応力を印加した際の代表的な挙動(弾性変形,塑性変形)を説明できる。 | 物質に応力を印加した際の代表的な挙動(弾性変形,塑性変形)の基本的な説明ができる。 | 物質に応力を印加した際の代表的な挙動(弾性変形,塑性変形)の基本的な説明ができない。 |
5.物質を加熱した際の熱膨張と熱伝導の代表的な機構(格子振動及び自由電子による機構)を説明できる。 | 物質を加熱した際の熱膨張と熱伝導の代表的な機構(格子振動及び自由電子による機構)を説明できる。 | 物質を加熱した際の熱膨張と熱伝導の代表的な機構(格子振動及び自由電子による機構)の基本的な説明ができる。 | 物質を加熱した際の熱膨張と熱伝導の代表的な機構(格子振動及び自由電子による機構)の基本的な説明ができない。 |