| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
1.真性半導体,不純物半導体の電気伝導性,p-n接合及びトランジスタの原理と特性,酸化物超伝導体の特性と電気伝導機構を説明できる。 | 真性半導体,不純物半導体の電気伝導性,p-n接合及びトランジスタの原理と特性,酸化物超伝導体の特性と電気伝導機構を説明できる。 | 真性半導体,不純物半導体の電気伝導性,p-n接合及びトランジスタの原理と特性,酸化物超伝導体の特性と電気伝導機構の基本的な説明ができる。 | 真性半導体,不純物半導体の電気伝導性,p-n接合及びトランジスタの原理と特性,酸化物超伝導体の特性と電気伝導機構の基本的な説明ができない。 |
2.イオン導電体の特性を説明できる。 | イオン導電体の特性を説明できる。 | イオン導電体の特性の基本的な説明ができる。 | イオン導電体の特性の基本的な説明ができない。 |
3.ガラスの定義,ガラス転移点におけるイオンの挙動を説明できる。 | ガラスの定義,ガラス転移点におけるイオンの挙動を説明できる。 | ガラスの定義,ガラス転移点におけるイオンの挙動の基本的な説明ができる。 | ガラスの定義,ガラス転移点におけるイオンの挙動の基本的な説明ができない。 |
4.シリカゲルの吸着特性・半導体ガスセンサの作動原理等,固体表面への気体の吸着現象を説明できる。 | シリカゲルの吸着特性・半導体ガスセンサの作動原理等,固体表面への気体の吸着現象を説明できる。 | シリカゲルの吸着特性・半導体ガスセンサの作動原理等,固体表面への気体の吸着現象の基本的な説明ができる。 | シリカゲルの吸着特性・半導体ガスセンサの作動原理等,固体表面への気体の吸着現象の基本的な説明ができない。 |
5.微粒子の持つ特性とそれが発現する理由を説明できる。 | 微粒子の持つ特性とそれが発現する理由を説明できる。 | 微粒子の持つ特性とそれが発現する理由の基本的な説明ができる。 | 微粒子の持つ特性とそれが発現する理由の基本的な説明ができない。 |
6.蛍光管及びレーザーの発光原理等,通信用光ファイバの構造と主たる製造法を説明できる。 | 蛍光管及びレーザーの発光原理等,通信用光ファイバの構造と主たる製造法を説明できる。 | 蛍光管及びレーザーの発光原理等,通信用光ファイバの構造と主たる製造法の基本的な説明ができる。 | 蛍光管及びレーザーの発光原理等,通信用光ファイバの構造と主たる製造法の基本的な説明ができない。 |
7.顔料と染料を理解し,無機顔料・有機顔料の着色機構及び顔料の表面処理を説明できる。 | 顔料と染料を理解し,無機顔料・有機顔料の着色機構及び顔料の表面処理を説明できる。 | 顔料と染料を理解し,無機顔料・有機顔料の着色機構及び顔料の表面処理の基本的な説明ができる。 | 顔料と染料を理解して無機顔料・有機顔料の着色機構及び顔料の表面処理の基本的な説明ができない。 |
8.バイオセラミックスの特徴を理解した上で工学的な用途を説明できる。 | バイオセラミックスの特徴を理解した上で工学的な用途を説明できる。 | バイオセラミックスの特徴を理解した上で工学的な用途の基本的な説明ができる。 | 顔料と染料を理解して無機顔料・有機顔料の着色機構及び顔料の表面処理の基本的な説明ができない。 |