| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
1. 錯体化学を学ぶ上で重要な用語(配位子、配位数、配座など)について説明することができる。 | 錯体化学を学ぶ上で重要な用語(配位子、配位数、配座など)について全て説明することができる。 | 錯体化学を学ぶ上で重要な用語(配位子、配位数、配座など)のうち内、半数の用語について説明することができる。 | 錯体化学を学ぶ上で重要な用語(配位子、配位数、配座など)の内、半数の用語について説明することができない。 |
2. IUPAC法に基づいて錯体の命名ができる。 | IUPAC法に基づいて、複雑な構造の錯体を命名することができる。 | IUPAC法に基づいて、簡単な構造の錯体を命名することができる。 | IUPAC法に基づいて、簡単な構造の錯体を命名することができない。 |
3. 静電的モデルおよび共有結合を用いて金属イオン-配位子の組み合わせから錯体の安定性を説明できる。 | 静電的モデルおよび共有結合を用いて金属イオン-配位子の組み合わせから錯体の安定性を説明できる。 | 静電的モデルおよび共有結合を用いた錯体の安定性を説明できる。 | 静電的モデルおよび共有結合を用いた錯体の安定性を説明できない。 |
4. 2つの化学結合理論(原子価結合理論、分子軌道理論)に関する基礎的な知識を持ち,錯体の電子配置が説明できる。 | 2つの化学結合理論(原子価結合理論、分子軌道理論)に関する基礎的な知識を持ち,錯体の電子配置が説明できる。 | 2つの化学結合理論(原子価結合理論、分子軌道理論)の違いを説明できる。 | 2つの化学結合理論(原子価結合理論、分子軌道理論)の違いを説明できない。 |
5. 結晶場理論を応用して配位子場の強さから錯体の構造や磁性の傾向、色が推定できる。 | 結晶場理論を応用して配位子場の強さから錯体の構造や磁性の傾向、色が推定できる。 | 結晶場理論、配位子場理論を説明できる。 | 結晶場理論、配位子場理論を説明できない。 |
6. 配位子の置換反応を用いて錯体の反応速度を説明することができる。 | 配位子の置換反応を用いて錯体の反応速度を説明することができる。 | 2つの配位子置換反応の機構について違いを説明できる。 | 2つの配位子置換反応の機構について違いを説明できない。 |