到達目標
1.自然科学の基礎知識の一つである,原子の結合や結晶構造,エネルギーバンドの成り立ちについて説明することができる.
2.電子等の振る舞いをふまえ,物質の電気的特性に係わる諸性質の成り立ちについて概説することができる.
3.薄膜の生成方法、真空装置、薄膜の評価方法などについて説明できる.
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 原子の結合や結晶構造,エネルギーバンドの成り立ちについて,図を用いて論理的に説明できる. | 原子の結合や結晶構造,エネルギーバンドの成り立ちについて,概説できる. | 原子の結合や結晶構造,エネルギーバンドの成り立ちについて説明することができない. |
評価項目2 | 物質の電気的特性に関わる諸性質の成り立ちについて,図を用いて説明できる. | 物質の電気的特性に関わる諸性質の成り立ちについて,概説できる. | 物質の電気的特性に関わる諸性質の成り立ちについて,説明することができない. |
評価項目3 | 薄膜の生成方法、真空装置、薄膜の評価方法などについて説明できる. | PVD, CVDなどの薄膜形成方法について説明できる. | 薄膜の生成方法、真空装置、薄膜の評価方法などについて説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
身近にある各種電気電子機器は,半導体を始め,磁性体,誘電体,光物性材料等,様々な物質が使用されており,これらの特性を活かした製品開発を行うためには,その物質の基本的性質に対する知見が必要となる.
本講義では,初学者でも問題ないように物質(固体)の性質において根本となる結晶構造や電子等の振る舞いについて学び、それらをふまえて実際の薄膜作成方法について実践的に学習することを目的とする.
授業の進め方・方法:
講義は座学中心で行うが,演習として薄膜作成も行う.また、座学はパワーポイントを用いた反転授業を行い,その内容に応じて評価する.
授業計画に対する到達目標に示した内容に関する反転授業のパワーポイント、試験及び自学自習等で努めた課題で総合的に達成度を評価する.
なお,本科目は学修単位であり,課題レポートにより事前・事後学習成果を確認するため,自学自習時間等を活用し,取り組むこと(60時間の自学自習を必要とする).
割合は,定期試験:40%,演習・課題:60%とし,合格点は60点以上である.
学業成績評価が60点未満の場合,再試験を実施することがある.再試験の成績は,定期試験の成績に置き換えて再評価を行う.
注意点:
本科で履修した物理,化学,応用物理で学習した内容が基礎となるので,よく復習すること.
演習・課題は添削し,目標が達成されていることを確認後,返却する.目標が達成されていない場合には,再提出を求めることもある.
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
固体の結晶構造(1) -原子・分子と電子軌道,結晶構造 |
物質を構成する原子,分子の結合や結晶構造について概説できる.
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2週 |
固体の結晶構造(2) -結晶構造とその決定法 |
結晶構造を決定する方法とその原理,特徴について説明できる.
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3週 |
固体の結晶構造(3) -結晶欠陥と材料精製法 |
結晶の不完全性と材料の精製法について概説できる.
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4週 |
エネルギーバンド理論 |
エネルギーバンドの成り立ちについて説明できる.
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5週 |
物質の性質とエネルギーバンドとの関係 |
エネルギーバンド理論を基に,導体,半導体,絶縁体の違いについて説明できる.
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6週 |
半導体の性質と種類 |
半導体の基本的な性質と真性半導体,不純物半導体の違いについて説明できる.
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7週 |
ホール効果 |
ホール効果発生のしくみと応用例について説明できる.
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8週 |
半導体材料の応用事例 |
ダイオード,トランジスタを例に,構造や動作原理,特徴等について説明できる.
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2ndQ |
9週 |
薄膜作成の基礎 |
PVDやCVD法について説明できる.
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10週 |
真空の基礎 |
真気体分子運動論および真空の状態について説明できる.
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11週 |
真空装置の基礎 |
真空装置の種類、廃棄原理などについて説明できる.
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12週 |
薄膜の評価方法 |
各種薄膜評価方法について説明できる.
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13週 |
薄膜作成の基礎 |
真空装置の取り扱い、実験における注意点などについて説明できる.
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14週 |
薄膜作成 |
薄膜が作製できる.
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15週 |
薄膜評価 |
作製した薄膜の評価ができる.
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16週 |
定期試験 |
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評価割合
| 定期試験 | 演習・課題 | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 40 | 60 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 10 | 10 | 0 | 20 |
専門的能力 | 20 | 40 | 0 | 60 |
分野横断的能力 | 10 | 10 | 0 | 20 |