| 理想的な到達レベルの目安(優) | 標準的な到達レベルの目安(良) | 未到達レベルの目安(不可) |
評価項目1 | 静電容量の直並列接続を理解し,それを利用して合成静電容量を解析できる. | 静電容量の直並列接続を理解し,静電容量を計算できる.ガウスの定理を用いて,キャパシタンスの式を導出できる. | 静電容量の直並列接続を理解できず,静電容量を計算できない. |
評価項目2 | 静電エネルギーの仮想変位から静電応力の解析をできる. | 静電エネルギーと静電応力を理解できる.それらを式で表し計算することができる. | 静電エネルギーと静電応力を理解できない. |
評価項目3 | 電流密度が変化する媒体の抵抗値を解析的に計算できる. | 電流密度が一様な媒体の抵抗値を計算できる. | 電流密度と抵抗値を計算できない. |
評価項目4 | 無限長導体などの電流が作る磁界のベクトルを解析できる. | 電流が作る磁界のベクトルの方向が説明できる.磁界の強さの式を書ける. | 電流が作る磁界の方向と強さを理解できない. |
評価項目5 | 電流が作る磁界をビオ・サバールの法則を用いて解析でき,有限長の直線導体やループコイルを組み合わせた電流の作る磁界の計算できる. | ビオ・サバールの法則を理解でき,有限長の直線導体やループコイルの電流の作る磁界の計算できる. | ビオ・サバールの法則を理解できない. |
評価項目6 | 複数の電流が作る磁界中の電流に作用する力のベクトルの向きと大きさを解析できる.磁界や電界中の電子の運動・軌道を計算できる. | 磁界中の電流に作用する力のベクトルの向きと大きさを計算し理解できる.ローレンツ力を説明できる. | 磁界中の電流や運動電子に作用する力のベクトルの向きや大きさを理解できない. |
評価項目7 | 磁性体と磁化,及び磁束密度を,透磁率と磁化率を用いて磁界から計算できる. | 磁性体における透磁率と磁化率,及び,磁界と磁束密度,磁化の違いを式を用いて説明できる. | 磁性体と磁化,及び,磁束密度を理解できない. |
評価項目8 | 磁界解析を理解して,磁束鎖交数と電流の関係から自己インダクタンス及び相互インダクタンスを計算できる. | 磁界が作る磁束鎖交数を理解し,インダクタンスを計算できる. | インダクタンスを計算できない. |
評価項目9 | インダクタンスに蓄えられる磁気エネルギーを解析できる. | 磁気エネルギーの計算式を用いて説明することができる. | 磁気エネルギーを説明できない. |
評価項目10 | 電磁誘導の応用を理解でき,磁界が変動する場合や磁気回路が変化する場合,相互インダクタンスを介する場合などの誘導起電力を計算できる. | 電磁誘導の式が書け,計算することができる.自己誘導と相互誘導の違いに関連付けて自己インダクタンスと相互インダクタンスの違いを理解できる. | 電磁誘導を計算することができない.電磁誘導とインダクタンスの関係を理解できない. |