到達目標
電子材料の基本的な結晶構造や性質を理解し,金属単体や半導体単体の電気伝導を理解し,半導体工学を学ぶための基礎知識を習得することを目標とする.
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1
基本的な結晶構造や基本的性質を説明できる. | 基本的な結晶構造や基本的性質を説明でき,考察できる. | 基本的な結晶構造や基本的性質を説明できる. | 基本的な結晶構造や基本的性質を説明できない. |
評価項目2
電子材料の基本的な電気伝導を説明できる. | 基本的な電気伝導の原理を説明でき,簡単な考察ができる. | 基本的な電気伝導の原理を説明できる. | 基本的な電気伝導の原理を説明できない.
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学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 C
説明
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JABEE d-1
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教育方法等
概要:
半導体産業は多種多様な固体材料によって支えられている.本講義では,この電子材料の基礎的性質を理解することを目的とし,半導体工学へつなぐ基礎知識を取得する.
(関連科目:電磁気学,半導体工学)
授業の進め方・方法:
講義形式で実施する.
合否判定:中間試験と期末試験の平均点が6割を超えていること.
最終評価:合否判定と同じ.不合格の場合は再試験を実施し,60点以上を合格とする.
注意点:
学習単位の自学自習時間は,予習復習の時間を総合したものとする.
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
量子力学の歴史 |
量子力学の成り立ちを説明できる
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2週 |
量子力学を使った計算 |
シュレディンガーの方程式を導くことができる
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3週 |
量子力学を使った計算 |
一次元量子井戸中の電子のふるまいを計算できる
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4週 |
量子力学を使った計算 |
トンネル効果を説明でき,トンネル確率を計算できる
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5週 |
原子の構造 |
パウリの排他律を理解し、原子の電子配置を説明できる.
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6週 |
化学結合と結晶構造 |
共有結合を説明できる.代表的な結晶構造,格子定数,ミラー指数について説明できる.
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7週 |
演習 |
ここまでの確認をおこなう
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8週 |
中間試験 |
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4thQ |
9週 |
電子デバイスで用いられる統計 |
フェルミ・ディラック分布を説明できる
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10週 |
自由電子モデル |
金属中の電子の振る舞いを計算できる
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11週 |
バンド理論 |
半導体中の電子の振る舞いを計算できる
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12週 |
半導体の結晶構造 |
模型を用いてダイヤモンド構造と閃亜鉛鉱構造を作製する
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13週 |
真性半導体と不純物半導体 |
真性半導体と不純物半導体の違いを説明できる n型半導体とp型半導体について説明できる
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14週 |
PN接合ダイオード |
PN接合ダイオードのバンド図を説明できる
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15週 |
演習 |
ここまでの確認をおこなう
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16週 |
期末試験 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子工学 | 電子の電荷量や質量などの基本性質を説明できる。 | 3 | 後1,後2,後3,後4 |
エレクトロンボルトの定義を説明し、単位換算等の計算ができる。 | 3 | 後1,後2,後3,後4 |
原子の構造を説明できる。 | 2 | 後1,後5 |
パウリの排他律を理解し、原子の電子配置を説明できる。 | 2 | 後5 |
結晶、エネルギーバンドの形成、フェルミ・ディラック分布を理解し、金属と絶縁体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 2 | 後6,後9,後12 |
金属の電気的性質を説明し、移動度や導電率の計算ができる。 | 2 | 後10 |
真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 2 | 後13,後14 |
半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 2 | 後11,後13,後14 |
評価割合
| 定期試験 | 合計 |
総合評価割合 | 100 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 |
専門的能力 | 100 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 |