到達目標
到達目標１：波動関数，雑音などデバイス設計における基礎的な項目を説明できる。
到達目標２：量子力学の基礎的知識が実際の半導体デバイスなどに応用されていることを説明できる。
到達目標３：太陽電池とその技術的制約を考慮して，簡単な設計ができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | デバイス設計における基礎的な項目とその応用を説明できる。 | デバイス設計における基礎的な項目を説明できる。 | デバイス設計の基礎が説明できない。 |
| 評価項目2 | 量子力学の基礎的知識を実際のデバイスなどに応用できる。 | 量子力学の基礎的知識が実際のデバイスなどに応用されていることを説明できる。 | 量子力学の基礎的知識を説明できない。 |
| 評価項目3 | 太陽電池の作製技術とその技術的制約を考慮して，設計ができる。 | 太陽電池の作製技術とその技術的制約を考慮して，簡単な設計ができる。 | 太陽電池の作製技術とその技術的制約を説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 D
説明
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JABEE d-1
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教育方法等
概要:
デバイスは，電子材料を使用目的に合わせて機能を持たせ，多方面の分野で利用されている。この授業では，光デバイスと磁気デバイスの２つをテーマとして，電子材料，半導体工学の基礎に基づいてデバイスの動作原理，構造，作製技術を理解することを目的とする。この授業から，デバイスを様々な応用に利用したり，設計，開発する能力を修得してもらう。なお、本科目は電子材料と半導体工学と関連する。
授業の進め方・方法:
授業の前半に講義をおこない、後半に演習をおこなう。演習問題はプリントで配布する。
成績の評価方法は次のとおりである。
合否判定：2回の定期試験の結果の平均を60%, 演習の平均を40%とし，その合計が60点以上であること。
最終評価：合否判定と同じ。
注意点:
電子材料（電気材料）と半導体工学の知識が前提となるので適宜、復習しながら授業を進める。
固体素子について幅広い内容を短期間で学習するため、意欲的に学習してほしい。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
デバイス工学の概要 |
デバイスの定義，代表的な電子材料とデバイスについて説明できる．金属と半導体の違い，物質の結晶構造とデバイス応用について説明できる
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| 2週 |
光と半導体 |
光の波長とエネルギーの関係について説明できる．発光ダイオードの構造および動作原理を説明できる
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| 3週 |
発光デバイス |
発光（蛍光）の原理について説明できる
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| 4週 |
発光デバイス |
発光（蛍光）の原理について説明できる
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| 5週 |
太陽電池 |
太陽電池の構造・特性について説明できる
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| 6週 |
太陽電池 |
太陽電池の構造・特性について説明できる
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| 7週 |
ここまでのまとめ |
これまでの講義を復習する
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| 8週 |
中間試験 |
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| 4thQ |
| 9週 |
レーザー |
レーザーの特徴について説明できる
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| 10週 |
レーザー |
レーザーの特徴について説明できる
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| 11週 |
レーザー |
レーザーの特徴について説明できる
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| 12週 |
磁気デバイス |
各磁性体のデバイス応用について説明できる
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| 13週 |
磁気デバイス |
各磁性体のデバイス応用について説明できる
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| 14週 |
磁気デバイス |
各磁性体のデバイス応用について説明できる
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| 15週 |
ここまでのまとめ |
これまでの講義を復習する
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| 16週 |
期末試験 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 演習・レポート | 合計 |
| 総合評価割合 | 60 | 40 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 60 | 40 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 |