| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 電場の概念を深く理解し、ガウスの法則を使って様々な状況で電場を求めることができる。 | 電場の概念を理解し、ガウスの法則を使って電場を求めることができる。 | 電場の概念を理解できず、ガウスの法則を使って電場を求めることができない。 |
評価項目2 | 電荷が電磁場から受けるローレンツ力を深く理解し、様々な電磁場中の電荷の運動をよく説明できる。 | 電荷が電磁場から受けるローレンツ力を理解し、特定の電磁場中の電荷の運動を説明できる。 | 電荷が電磁場から受けるローレンツ力を理解できず、電磁場中の電荷の運動を説明できない。 |
評価項目3 | 導体、誘電体それぞれの特性と電場に対する応答を深く理解し、キャパシターなど様々なデバイスの電磁気学的特性をよく説明することができる。 | 導体、誘電体それぞれの特性と電場に対する応答を理解し、キャパシターなど特定のデバイスの電磁気学的特性を説明することができる。 | 導体、誘電体それぞれの特性と電場に対する応答を理解できず、キャパシターなど電磁気学的特性を説明することができない。 |
評価項目4 | 磁場のもとが電流であることをよく理解し、与えられた様々な電流からビオ-サバールの法則を使って磁場を求めることができる。 | 磁場のもとが電流であることを理解し、与えられた電流からビオ-サバールの法則を使って磁場を求めることができる。 | 磁場のもとが電流であることを理解できず、与えられた電流からビオ-サバールの法則を使って磁場を求めることができない。 |