到達目標
1.基礎知識と基礎工学力を身につけるべく、用語を理解し、基礎的事項を習得できること。
2.理論と現象を対応づけて理解できること。
3.専門工学力を身につけるべく、理論を用いた物性や現象の説明ができること。
4.理論を利用・応用した例題や演習等の具体的な計算問題の解答ができること。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 用語を理解し、基礎的事項を習得できる。 | 用語を理解し、基礎的事項をある程度習得できる。 | 用語を理解し、基礎的事項を習得できない。 |
評価項目2 | 理論と現象を対応づけて理解できる。 | 理論と現象を対応づけてある程度理解できる。 | 理論と現象を対応づけて理解できない。 |
評価項目3 | 理論を用いた物性や現象の説明ができる。 | 理論を用いた物性や現象の説明がある程度できる。 | 理論を用いた物性や現象の説明ができない。 |
評価項目4 | 理論を利用・応用した例題や演習等の具体的な計算問題の解答ができる。 | 理論を利用・応用した例題や演習等の具体的な計算問題の解答がある程度できる。 | 理論を利用・応用した例題や演習等の具体的な計算問題の解答ができない。 |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達目標 B-1
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学習・教育到達目標 B-2
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教育方法等
概要:
本学科の教育目標の1つは、エレクトロニクスに関する専門知識と技術を問題解決に利用できることである。そこで、半導体素子の物性を理解するのに必要な不純物半導体やpn接合の特性等の半導体工学の基礎を習得することを目標とする。
授業の進め方・方法:
半導体工学の基礎について授業を行い、エネルギ-バンドモデルを用いて不純物半導体やpn接合の物理的性質や特性について学習する。理論と現象を対応づけながら授業を進め、演習を多く取り入れ、計算力を高めると同時に講義内容をしっかりと理解させる方針である。
注意点:
1.講義内容をより深く理解するために、予習・復習をしっかりやること。
2.授業中に演習を行うため電卓を必ず持参すること。演習を多く取り入れ学習意欲を増進させる授業を展開する。
3.授業以外にも自主的に例題や演習を行い、計算力を高める努力をすること。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
不純物半導体のエネルギ-準位 |
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2週 |
不純物半導体のキャリヤ密度、半導体内の電気伝導 |
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3週 |
少数キャリヤの注入、拡散電流、ホール効果 |
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4週 |
pn接合とその熱的平衡状態 |
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5週 |
電位障壁 |
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6週 |
pn接合の電圧-電流特性 |
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7週 |
pn接合の降伏現象、pn接合の静電容量、半導体と金属の接触 |
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8週 |
到達度試験、 答案返却とまとめ
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4thQ |
9週 |
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10週 |
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11週 |
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12週 |
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13週 |
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14週 |
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15週 |
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16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | ダイオードの特徴を説明できる。 | 4 | |
電子工学 | 結晶、エネルギーバンドの形成、フェルミ・ディラック分布を理解し、金属と絶縁体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 4 | |
金属の電気的性質を説明し、移動度や導電率の計算ができる。 | 4 | |
真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 4 | |
半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 4 | |
pn接合の構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流―電圧特性を説明できる。 | 4 | |
評価割合
| 試験 | 小テスト・課題 | 合計 |
総合評価割合 | 70 | 30 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 70 | 30 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 |