到達目標
１．基礎知識と基礎工学力を身につけるべく、用語を理解し、基礎的事項を習得できること。
２．理論と現象を対応づけて理解できること。
３．専門工学力を身につけるべく、理論を用いた物性や現象の説明ができること。
４．理論を利用・応用した例題や演習等の具体的な計算問題の解答ができること。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目１ | 用語を理解し、基礎的事項を習得できる。 | 用語を理解し、基礎的事項をある程度習得できる。 | 用語を理解し、基礎的事項を習得できない。 |
| 評価項目２ | 理論と現象を対応づけて理解できる。 | 理論と現象を対応づけてある程度理解できる。 | 理論と現象を対応づけて理解できない。 |
| 評価項目３ | 理論を用いた物性や現象の説明ができる。 | 理論を用いた物性や現象の説明がある程度できる。 | 理論を用いた物性や現象の説明ができない。 |
| 評価項目４ | 理論を利用・応用した例題や演習等の具体的な計算問題の解答ができる。 | 理論を利用・応用した例題や演習等の具体的な計算問題の解答がある程度できる。 | 理論を利用・応用した例題や演習等の具体的な計算問題の解答ができない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
本学科の教育目標の1つは、エレクトロニクスに関する専門知識と技術を問題解決に利用できることである。そこで、ダイオ－ドやトランジスタなどの半導体素子の物理的性質を深く理解させ、集積回路や種々の半導体応用素子について講義する。また新素材である液晶についても講義する。半導体素子の理論的な物性を理解し、半導体応用素子に関する幅広い知識を習得することを目標とする。
授業の進め方・方法:
バイポ－ラトランジスタやユニポ－ラトランジスタの物理的性質や特性について理論的に学習し、動作メカニズムを理解させる。また、半導体素子の製造や種類、集積回路や変換素子等の様々な半導体応用素子、液晶の物性や分類、ディスプレイ等に関する幅広い知識を習得させる。理論と現象を対応づけながら進めていく方針である。
注意点:
１．3年の電子工学から継続する。3年の復習及び講義内容をより深く理解するための予習・復習をやること。
２．授業中に演習を行うため電卓を必ず持参すること。演習を多く取り入れ学習意欲を増進させる授業を展開する。
３．実際に利用されているデバイスを紹介・説明することにより、学生の興味をかき立てる授業を展開する。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
ガイダンス、ダイオ－ドの分類、ｐｎ接合の製造、接合ダイオ－ド、特殊ダイオ－ド |
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| 2週 |
サイリスタ、接合トランジスタの動作機構、バンドモデルによるトランジスタ作用 |
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| 3週 |
トランジスタの特性、接合トランジスタの種類 |
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| 4週 |
バイポ－ラトランジスタとユニポ－ラトランジスタ、接合形電界効果トランジスタの動作原理 |
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| 5週 |
MOS形トランジスタ、ＩＣとは、ＩＣの分類、ＩＣの製造 |
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| 6週 |
光電変換素子、磁電変換素子、半導体抵抗素子、マイクロ波用半導体素子 |
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| 7週 |
液晶の物性とディスプレイへの応用 |
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| 8週 |
到達度試験、
答案返却とまとめ
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| 2ndQ |
| 9週 |
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| 10週 |
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| 11週 |
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| 12週 |
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| 13週 |
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| 14週 |
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| 15週 |
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| 16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
| FETの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
| 電子工学 | バイポーラトランジスタの構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。 | 4 | |
| 電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。 | 4 | |
評価割合
| 試験 | 小テスト・課題 | 合計 |
| 総合評価割合 | 70 | 30 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 70 | 30 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 |