| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 様々な分布電荷による電界,電位の計算ができる。 | 典型的な分布電荷による電界,電位の計算ができる。 | 分布電荷による電界,電位の計算ができない。 |
評価項目2 | 様々な導体配置における静電容量を計算することができる。 | 典型的な導体配置における静電容量を計算することができる。 | 静電容量の計算ができない。 |
評価項目3 | 電界によるエネルギーや働く力を明快に説明することができ,諸量の計算ができる。 | 電界によるエネルギーや働く力を説明でき,諸量の計算ができる。 | 電界によるエネルギーや働く力について説明できない。 |
評価項目4 | 誘電体における分極,電界,電束密度について明快に説明することができ,諸量の計算ができる。 | 誘電体における分極,電界,電束密度について説明でき,諸量の計算ができる。 | 誘電体における分極,電界,電束密度について説明することができない。 |
評価項目5 | ビオ・サバールの法則およびアンペアの法則を明快に説明でき,これらの法則を用いて様々な電流がつくる磁界を計算できる。 | ビオ・サバールの法則およびアンペアの法則を説明でき,これらの法則を用いて電流がつくる磁界を計算できる。 | ビオ・サバールの法則およびアンペアの法則を説明できず,電流がつくる磁界を計算できない。 |
評価項目6 | 磁界中の電流が受ける力,電磁誘導現象を明快に説明することができ,応用問題を解くことができる。 | 磁界中の電流が受ける力,電磁誘導現象を説明でき,基本問題を解くことができる。 | 磁界中の電流が受ける力,電磁誘導現象を説明できない。 |
評価項目7 | 自己・相互インダクタンスについて明快に説明することができる。 | 自己・相互インダクタンスについて説明できる。 | 自己・相互インダクタンスについて説明できない。 |