電子デバイスⅡ

半導体や半導体デバイスの基本的事項を習得することを目標とする。
１．金属と半導体の接触特性について理解できる。
２．MOSトランジスタの動作原理
３．MOSトランジスタを用いたアナログ回路，ディジタル回路およびメモリ回路について理解できる。
４．半導体デバイスの作成プロセスについて理解できる。

	理想的な到達レベルの目安	標準的な到達レベルの目安	未到達レベルの目安
評価項目1	金属と半導体の接触特性について，エネルギーバンド図を図示しながら説明できる。	金属と半導体の接触特性について説明できる。	金属と半導体の接触特性について説明できない。
評価項目2	MOSトランジスタの動作原理についてエネルギーバンド図を図示しながら説明でき，トランジスタ電流のメカニズムについて定量的に説明できる。	MOSトランジスタの動作原理について説明でき，トランジスタ電流のメカニズムについて説明できる。	MOSトランジスタの動作原理，トランジスタ電流のメカニズムについて説明できない。
評価項目3	半導体デバイスの作成プロセスの前工程と後工程を系統的に説明できる。	半導体デバイスの作成プロセスの前工程と後工程をそれぞれ説明できる。	半導体デバイスの作成プロセスの前工程と後工程をそれぞれ説明できない。

概要:

MOS構造の動作原理や基本特性，MOS電界効果トランジスタの基本特性やその高性能化，MOS構造を用いたアナログ回路，ディジタル回路，メモリ回路等について学習する。「電子デバイスⅠ」の知識を基礎として、集積回路の基本構造である金属－絶縁体－半導体（MOS）構造の原理と特徴を理解する。

授業の進め方・方法:

配布する資料や板書によるノートを中心にして進める。

注意点:

化学Ⅰ，化学Ⅱ，電子回路Ａ，電子回路Ｂ，電子デバイI，電子物性基礎，集積回路基礎，応用電子回路と関連する。電気基礎科目を物理的現象として理解する科目である。授業中に実施する演習の問題の解法については良く復習して，完全に理解するよう努めることが重要である。

		週	授業内容	週ごとの到達目標
前期
	1stQ
		1週	電子デバイスIの復習	半導体中のキャリアの振る舞いを説明できる。
		2週	電子デバイスIの復習	エネルギーバンド構造を説明できる。
		3週	金属－半導体接触	ショットキー接触を説明できる。
		4週	金属－半導体接触	ショットキーバリアダイオードを説明できる。
		5週	金属－半導体接触	オーミック接触を説明できる。
		6週	MOSダイオード	MOSダイオードの構造を説明できる。
		7週	MOSダイオード	蓄積，空乏，反転の違いを説明できる。
		8週	MOSトランジスタ	MOSトランジスタの構造を説明できる。
	2ndQ
		9週	MOSトランジスタ	MOSトランジスタの動作原理と特性を説明できる。
		10週	MOSトランジスタ	エンハンスメント型とデプレッション型の違いを説明できる。
		11週	MOSキャパシタ	MOSキャパシタを説明できる。
		12週	集積回路	ICの回路構成や作製方法を説明できる。
		13週	集積回路	バイポーラICおよびMOSディジタルICを説明できる。
		14週	集積回路	ICメモリを説明できる。
		15週	前期期末試験
		16週	前期期末試験の解説とまとめ

分類		分野	学習内容	学習内容の到達目標	到達レベル	授業週