| 理想的な到達レベルの目安(優) | 標準的な到達レベルの目安(良) | 最低限到達レベルの目安(可) | 未到達レベルの目安 |
| 電子と結晶 | 原子モデルを説明でき、半導体材料の結晶構造や結合形式を説明できる。
半導体材料の価電子密度等の計算、ミラー指数を用いた面・方位の説明できる。 | 原子モデルを説明でき、半導体材料の結晶構造や結合形式を説明できる。
半導体材料の価電子密度等を計算できる。 | 原子モデルを説明できる。
半導体材料の結晶構造や結合形式を説明できる。 | 原子モデルを説明できない。
半導体材料の結晶構造や結合形式を説明できない。 |
| エネルギー帯と自由電子 | エネルギ順位、エネルギー帯の形成及びエネルギー帯を用いた導体・絶縁体・半導体の違いについて、十分なや異様で説明できる。
自由電子を作成るために必要なエネルギー等を計算できる。 | エネルギ順位、エネルギー帯の形成及びエネルギー帯を用いた導体・絶縁体・半導体の違いが説明き、シリコンについて、具体的な値を用いて説明ができる。 | エネルギ順位、エネルギー帯の形成が説明できる。
エネルギー帯を用いた導体・絶縁体・半導体の違いが説明できる。 | エネルギ順位、エネルギー帯の形成が説明できない。
エネルギー帯を用いた導体・絶縁体・半導体の違いが説明できない。 |
| 半導体とキャリア | 半導体の種類とキャリア及びキャリア生成機構について説明できる。
各半導体でのキャリアの数の比較、不純物によるキャリア生成・イオン化等具体的に説明できる。 | 半導体の種類とキャリアについて、説明できる。
キャリア生成機構について説明できる。 | 半導体の種類とキャリアについて、説明できる。 | 半導体の種類とキャリアについて、説明できない。 |
| キャリア密度とフェルミ準位 | キャリア密度とフェルミレベルについて、説明できる。
多数キャリア、少数キャリアの説明ができ、キャリア密度等の計算ができる。 | キャリア密度とフェルミレベルについて、説明できる。
多数キャリアと少数キャリアの説明ができる。 | キャリア密度とフェルミレベルについて、説明できる。 | キャリア密度とフェルミレベルについて、説明できない。 |
| 半導体の電気伝導 | 半導体の電気伝導を説明できる。
ドリフト電流、拡散電流、キャリア連続の式を導ける。
ドリフト速度、導電率（低効率）等の計算ができる。 | 半導体の電気伝導を説明できる。
ドリフト電流、拡散電流、キャリア連続の式を導ける。 | 半導体の電気伝導（ドリフト・拡散）及びキャリア連続の式が説明できる。 | 半導体の電気伝導（ドリフト・拡散）及びキャリア連続の式が説明できない。 |
| 総 合 | 到達目標を十分優れた内容で達成し、課題提出を行える | 到達目標を平均的レベルで達成し、課題提出を行える | 担当教員の支援・指導を受けながら、到達目標の最低限を達成し、課題提出を行えたる | 担当教員の大きな支援・指導があったにもかかわらず、到達目標の達成や課題内容が伴わなかった |
| 課 題 | 提出締切が守られ、内容も平均より十分優れたものを提出できる | 提出締切が守られ、内容が平均レベル程度のもの提出できる | 遅れながらも提出され、最低限程度の内容のものを提出できる | 課題を提出できない、または、大幅な遅れで提出し内容が伴わないものしか提出できない |
| プレゼンテーション | 適切なツールを用いて、発表内容が平均より十分に優れ、時間管理もしっかりできる | 必要なツールを用いることができ、発表内容が平均レベルの発表ができる | 担当教員の支援・指導を受けながら、最低限の内容で、発表を行える | 発表ができない、または内容が全く伴わない発表しかできない |