| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
固体の比熱 | 固体の比熱のモデルを導出でき、比熱の温度変化を説明できる。また、格子振動に由来する固体の熱伝導・熱膨張について、その変化を比熱と関連させて説明できる。 | 固体の比熱の温度変化を説明できる。また、格子振動に由来する固体の熱伝導・熱膨張について説明できる。 | 固体の比熱のモデルを説明できない。熱伝導・熱膨張が格子振動に関連することを理解していない。 |
古典的自由電子モデル | 古典的な自由電子モデルにより、移動度や緩和時間を理解して計算できる。電流密度を計算できる。 | 古典的な自由電子モデルにより、移動度や緩和時間を計算できる。 | 古典的な自由電子モデルにより、移動度や緩和時間を計算できない。 |
エネルギーバンドの形成 | 結晶中のエネルギー状態について、エネルギーバンドの形成を理解し、自由電子、周期ポテンシャル中のエネルギー状態を式で記述できる。 | 結晶中のエネルギー状態について、エネルギーバンドの形成を理解し、自由電子、周期ポテンシャル中のエネルギー状態を説明できる。 | 結晶中のエネルギー状態について、エネルギーバンドの形成を理解しておらず、自由電子、周期ポテンシャル中のエネルギー状態を式で説明できない。 |
導体・半導体・絶縁体 | 導体、半導体、絶縁体のエネルギーバンドと導電性の違いを図示して説明できる。 | 導体、半導体、絶縁体のエネルギーバンドと導電性の違いを図示して説明できる。 | 導体、半導体、絶縁体のエネルギーバンドと導電性の違いを説明できない。 |
半導体 | 真性半導体の状態密度を導出して模式図を描き、伝道機構を説明できる。 | 真性半導体の状態密度の模式図を描き、伝道機構を説明できる。 | 真性半導体の状態密度を理解しておらず、伝道機構を説明できない。 |
不純物半導体 | 真性半導体と不純物半導体の違いを説明できる。p型、n型半導体の違いをエネルギーバンド図を用いて説明できる。不純物半導体の導電率の温度変化を図示して、その機構を説明できる。 | 真性半導体と不純物半導体の違いを説明できる。p型、n型半導体の違いをエネルギーバンド図を用いて説明できる。 | 真性半導体と不純物半導体の違いを理解していない。p型、n型半導体の違いをエネルギーバンド図に描くことができない。 |