到達目標
1.電子回路を理解するために必要な基礎的な電気工学(交流,磁界など)の知識を理解できる.
2.半導体の種類や電気的性質などを理解できる.
3.ダイオードの特性,種類,回路計算などを理解できる.
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 電子回路修得に必要な電気工学の計算ができる | 電子回路修得に必要な電気工学の基本的内容が理解できる. | 電子回路修得に必要な電気工学の基本的内容が理解できない. |
評価項目2 | 半導体の構造と動作原理を理解できる. | 半導体の構造が理解できる. | 半導体の構造が理解できない. |
評価項目3 | ダイオードの動作原理を理解できる. | ダイオードの仕組みが理解できる. | ダイオードの仕組みを理解できない. |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
電子工学の基礎的概念を修得し,今後の独習の基礎的能力を確立する.
半導体の構造,およびダイオードの動作原理を理解し,電子回路の基礎知識を修得する.
授業の進め方・方法:
講義形式で行い,必要に応じて課題レポートなどを実施する.なお,試験結果が合格点に達しない場合,
再テストを行うことがある.
注意点:
基本的な事項を確実に取得し,演習に積極的に参加すること.
(授業を受ける前)電気工学Ⅰ,Ⅱで学習した直流回路,交流波形を理解するとともに,必ず前回の授業の内容を理解しておくこと.
(授業を受けた後) 授業の内容で理解できなかった部分については,とくに重点的に復習しておくこと.
授業の属性・履修上の区分
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
授業ガイダンス
|
授業の進め方と評価の仕方について説明する.
|
2週 |
電力とジュールの法則 |
電力・電力量,ジュールの法則が理解できる.
|
3週 |
電流と磁気現象
|
磁石による磁気現象が理解できる.
|
4週 |
磁界の強さ |
点磁荷による磁界の強さが理解できる.
|
5週 |
電磁力
|
磁界の強さとフレミングの左手の法則が理解できる.
|
6週 |
電磁誘導
|
電磁誘導による起電力などが理解できる.
|
7週 |
到達度試験(後期中間)
|
上記項目について学習した内容の理解度を授業の中で確認する
|
8週 |
試験の解説と解答 |
到達度試験の解説と解答
|
4thQ |
9週 |
交流の基礎
|
交流の基礎,正弦波交流起電力の発生原理が理解できる.
|
10週 |
交流の表し方 |
周波数,周期,角速度,平均値,実効値,最大値,位相,位相差が理解できる.
|
11週 |
半導体の構造 |
シリコン原子の構造,自由電子,正孔の働きが理解できる.
|
12週 |
半導体の基本動作
|
半導体の種類,キャリアのふるまい,pn接合が理解できる.
|
13週 |
ダイオードの基礎
|
pn接合,空乏層,整流作用が理解できる.
|
14週 |
ダイオード回路
|
ダイオード回路の各種計算ができる.
|
15週 |
到達度試験(後期末)
|
上記項目について学習した内容の理解度を授業の中で確認する
|
16週 |
試験の解説と解答
|
到達度試験の解説と解答,および授業アンケート
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子工学 | 原子の構造を説明できる。 | 3 | |
真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 3 | |
pn接合の構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流―電圧特性を説明できる。 | 3 | |
評価割合
| 試験 | レポート | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 60 | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 | 75 |
専門的能力 | 20 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 25 |
| 0 | 0 | 0 | 0 |