到達目標
①p型,n型半導体,ダイオード,トランジスタの動作原理を理解する.
②トランジスタの静特性,hパラメータ,増幅回路を理解し,等価回路を用いて増幅率などの計算ができる.
③トランジスタのバイアス回路,安定係数を理解する.
④増幅率の周波数依存性が理解できる.
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | | | |
評価項目2 | | | |
評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
電子回路を構成する半導体素子およびダイオード回路,トランジスタ増幅回路の基本的な内容を学習する.
授業の進め方・方法:
定期試験の成績を80%,小テストや課題,実習の総点を20%として総合的に評価し,60点以上を合格とする.
前期後期試験は中間,期末とも50分で実施する。なお,中間試験は授業中に行う.
注意点:
電子機器を構成するに際して必ず電子回路が用いられることを念頭におき、十分に学習すること。演習・実習には積極的に取り組むこと。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
電子回路の基礎(1) |
線形素子と非線形素子
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2週 |
電子回路の基礎(2) |
分流,分圧,部品定数
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3週 |
電子回路の基礎(3) |
半導体の種類と性質,p型半導体,n型半導体,pn接合
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4週 |
電子回路の基礎(4) |
ダイオードの動作原理と特性
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5週 |
電子回路の基礎(5) |
ダイオードを用いて簡単な回路
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6週 |
電子回路の基礎(6) |
トランジスタ種類と動作原理
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7週 |
前期中間試験 |
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8週 |
総合演習 |
半導体素子(ダイオード,トランジスタ)のまとめ
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2ndQ |
9週 |
基本増幅回路(1) |
規格表からみたトランジスタの特性と動作点
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10週 |
基本増幅回路(2) |
二端子対回路(四端子回路)とhパラメータ
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11週 |
基本増幅回路(3) |
等価回路作図とエミッタ接地増幅回路の増幅度の計算
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12週 |
基本増幅回路(4) |
コレクタ接地増幅回路の増幅度の計算
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13週 |
基本増幅回路(5) |
ベース接地回路の増幅度の計算(T型)
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14週 |
基本増幅回路(6) |
ベース接地回路の増幅度の計算(π型)
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15週 |
総合演習 |
トランジスタの基本増幅回路のまとめ
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16週 |
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後期 |
3rdQ |
1週 |
基本増幅回路(7) |
様々なトランジスタ増幅回路の等価回路作成
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2週 |
基本増幅回路(8) |
増幅回路の入出力抵抗
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3週 |
基本増幅回路(9) |
固定バイアス回路と安定係数
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4週 |
基本増幅回路(10) |
電圧・電流帰還バイアス回路の安定係数の算出
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5週 |
基本増幅回路(11) |
エミッタ接地増幅回路の設計
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6週 |
基本増幅回路(12) |
増幅回路の周波数による特性変化
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7週 |
後期中間試験 |
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8週 |
総合演習 |
エミッタ接地増幅回路のまとめ
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4thQ |
9週 |
RC結合増幅回路(1) |
RC接合増幅回路の等価回路
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10週 |
RC結合増幅回路(2) |
RC接合増幅回路の周波数依存性I
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11週 |
RC結合増幅回路(3) |
RC接合増幅回路の周波数依存性II
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12週 |
FETを用いた回路(1) |
FETの特性と,増幅回路
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13週 |
FETを用いた回路(2) |
FETの等価回路
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14週 |
FETを用いた回路(3) |
FET増幅回路におけるバイアス方法
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15週 |
総合演習 |
トランジスタ増幅回路のまとめ
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16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 20 | 0 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 80 | 0 | 0 | 20 | 0 | 0 | 100 |
専門的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |