到達目標
①半導体の種類と基本的特性を説明できる
②PN接合やMIS接合の基本特性を説明できる
③半導体デバイスの種類と特徴を説明できる
③半導体の製造プロセスについて説明できる
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 各授業項目の内容を理解し、応用できる。 | 各授業項目の内容を理解している。 | 各授業項目の内容を理解していない。 |
| 評価項目2 | | | |
| 評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
半導体工学の基礎物性を学びその応用について学ぶ
授業の進め方・方法:
注意点:
講義に関係する内容について事前学習すること．
自学自習の確認方法：定期的に課題およびレポートを提出させる．
定期試験を80%，レポートを20%として総合的に評価し60点以上を合格とする．
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
半導体の基礎物性 |
真性半導体と不純物半導体のキャリア濃度とバンド構造
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| 2週 |
半導体の電気伝導 |
ドリフト電流，拡散電流，移動度
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| 3週 |
PN接合 |
PN接合のバンド構造，電流電圧特性
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| 4週 |
PN接合 |
空乏層の解析，空乏層容量
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| 5週 |
金属と半導体の接触 |
バンド構造と電流電圧特性
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| 6週 |
バイポーラトランジスタ |
バイポーラトランジスタのバンド構造
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| 7週 |
MIS接合 |
MIS構造のバンド構造，基本特性
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| 8週 |
MIS接合 |
MOSトランジスタの基本特性
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| 4thQ |
| 9週 |
半導体の光吸収 |
光吸収課程の種類，光電効果
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| 10週 |
半導体の発光現象 |
誘導放出，自然放出
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| 11週 |
化合物半導体の基本特性 |
化合物半導体の種類と特徴
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| 12週 |
化合物半導体の応用 |
HEMT素子
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| 13週 |
半導体デバイスの作製技術 |
単結晶の作製方法（CZ法，FZ法）
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| 14週 |
半導体デバイスの作製技術 |
半導体薄膜の作製方法
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| 15週 |
半導体デバイスの作製技術 |
半導体素子の製造プロセス
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| 16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 課題 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 専門的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |