到達目標
①半導体の種類と基本的特性を説明できる
②PN接合やMIS接合の基本特性を説明できる
③半導体デバイスの種類と特徴を説明できる
③半導体の製造プロセスについて説明できる
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 各授業項目の内容を理解し、応用できる。 | 各授業項目の内容を理解している。 | 各授業項目の内容を理解していない。 |
評価項目2 | | | |
評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
半導体工学の基礎物性を学びその応用について学ぶ
授業の進め方・方法:
注意点:
講義に関係する内容について事前学習すること.
自学自習の確認方法:定期的に課題およびレポートを提出させる.
定期試験を80%,レポートを20%として総合的に評価し60点以上を合格とする.
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
半導体の基礎物性 |
真性半導体と不純物半導体のキャリア濃度とバンド構造
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2週 |
半導体の電気伝導 |
ドリフト電流,拡散電流,移動度
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3週 |
PN接合 |
PN接合のバンド構造,電流電圧特性
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4週 |
PN接合 |
空乏層の解析,空乏層容量
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5週 |
金属と半導体の接触 |
バンド構造と電流電圧特性
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6週 |
バイポーラトランジスタ |
バイポーラトランジスタのバンド構造
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7週 |
MIS接合 |
MIS構造のバンド構造,基本特性
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8週 |
MIS接合 |
MOSトランジスタの基本特性
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4thQ |
9週 |
半導体の光吸収 |
光吸収課程の種類,光電効果
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10週 |
半導体の発光現象 |
誘導放出,自然放出
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11週 |
化合物半導体の基本特性 |
化合物半導体の種類と特徴
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12週 |
化合物半導体の応用 |
HEMT素子
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13週 |
半導体デバイスの作製技術 |
単結晶の作製方法(CZ法,FZ法)
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14週 |
半導体デバイスの作製技術 |
半導体薄膜の作製方法
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15週 |
半導体デバイスの作製技術 |
半導体素子の製造プロセス
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16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | レポート | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
専門的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |