到達目標
１．トランジスタおよびＦＥＴの特性を理解する。
２．等価回路に基づく回路解析ができるようになる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | トランジスタおよびＦＥＴの特性を理解し計算できる。 | トランジスタおよびＦＥＴの特性を理解できる。 | トランジスタおよびＦＥＴの特性を理解できない。 |
| 評価項目2 | 等価回路に基づく回路解析ができる。 | 等価回路に基づく回路解析についての内容が理解できる。 | 等価回路に基づく回路解析についての内容が理解できない。 |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 (A)(イ)
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学習・教育到達度目標 (B)(ロ)
説明
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教育方法等
概要:
能動素子としてのトランジスタおよびＦＥＴの特性を理解し、電子回路の基礎である増幅回路の動作を考え、そのバイアス法および小信号等価回路に基づく回路解析法について学ぶ。
授業の進め方・方法:
３年次までに学んだ電気回路の知識を習得していることを前提として授業を進める。授業は通常の講義形式で行う。中間・期末のそれぞれにおいて課題レポートを提出する。
注意点:
１．本科目の講義は３年次までに履修した電気回路を基礎に展開されるので、十分復習しておくこと。
２．講義ノートの内容を見直し、講義に関係する演習問題を解いておくこと。
３．講義で省略された式の算出等は各自行うこと。
４．講義で示した次回予定の部分を予習しておくこと。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
電子回路概説およびトランジスタの諸定数 |
電子回路の概要を理解する。トランジスタの諸定数の意味を理解する。
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| 2週 |
トランジスタおよびFETの特性 |
トランジスタおよびFETの静特性について理解する。
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| 3週 |
トランジスタ回路のバイアス方法（１） |
バイアスの安定化の必要性を理解し、固定バイアス回路および自己バイアス回路の働きを理解する。
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| 4週 |
トランジスタ回路のバイアス方法（２） |
電流帰還バイアス回路の働きを理解する。
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| 5週 |
FET回路のバイアス方法 |
FETのバイアス回路について理解する。
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| 6週 |
Ｔ形等価回路 |
Ｔ形等価回路の意味を理解し、各接地方式での使用方法を理解する。
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| 7週 |
中間試験 |
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| 8週 |
四端子等価回路（１） |
z、yおよびhパラメータによる等価回路を理解する。
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| 4thQ |
| 9週 |
四端子等価回路（２） |
hパラメータの意味を理解し、z、y、hパラメータの相互関係について理解する。
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| 10週 |
トランジスタの高周波等価回路（１） |
高周波におけるトランジスタの動作を理解し、高周波でのT形等価回路を理解する。
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| 11週 |
トランジスタの高周波等価回路（２） |
ハイブリッドπ形等価回路およびhパラメータによる高周波等価回路を理解する。
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| 12週 |
FETの等価回路 |
FETの低周波、高周波における等価回路を理解する。
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| 13週 |
トランジスタ増幅回路 |
トランジスタ増幅回路の動作量の算出方法を理解する。
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| 14週 |
FET増幅回路 |
FET増幅回路の動作量の算出方法を理解する。
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| 15週 |
期末試験 |
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| 16週 |
総復習 |
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評価割合
| 試験 | レポート | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |