到達目標
１．トランジスタおよびＦＥＴの特性を理解する。
２．等価回路に基づく回路解析ができるようになる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | トランジスタおよびＦＥＴの特性を理解し計算できる。 | トランジスタおよびＦＥＴの特性を理解できる。 | トランジスタおよびＦＥＴの特性を理解できない。 |
| 評価項目2 | 等価回路に基づく回路解析ができる。 | 等価回路に基づく回路解析についての内容が理解できる。 | 等価回路に基づく回路解析についての内容が理解できない。 |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 (A)(イ)
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学習・教育到達度目標 (B)(ロ)
説明
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教育方法等
概要:
能動素子としてのトランジスタおよびＦＥＴの特性を理解し、電子回路の基礎である増幅回路の動作を考え、そのバイアス法および小信号等価回路に基づく回路解析法について学ぶ。
授業の進め方・方法:
３年次までに学んだ電気回路の知識を習得していることを前提として授業を進める。授業は通常の講義形式で行う。中間・期末のそれぞれにおいて課題レポートを提出する。
注意点:
１．本科目の講義は３年次までに履修した電気回路を基礎に展開されるので、十分復習しておくこと。
２．講義ノートの内容を見直し、講義に関係する章末の演習問題を解いておくこと。
３．講義で省略された式の算出等は各自行うこと。
４．講義で示した次回予定の部分を予習しておくこと。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
電子回路概説および電子回路素子 |
電子回路の概要を理解する。電子回路素子を理解する。
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| 2週 |
トランジスタの特性
増幅の原理 |
トランジスタの特性を理解する。増幅の原理を理解する。
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| 3週 |
各種接地回路 |
エミッタ接地回路、コレクタ接地回路、ベース接地回路を理解する。
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| 4週 |
増幅度の計算 |
動作点を理解し、増幅度の図式計算方法について理解する。
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| 5週 |
等価回路による増幅度の計算 |
ｈパラメータによる増幅度の計算方法を理解する。Ｔ形等価回路による増幅度の計算方法を理解する。
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| 6週 |
ｈパラメータとＴ形等価回路の定数の関係 |
ｈパラメータとＴ形等価回路の定数の関係を理解する。
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| 7週 |
中間試験 |
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| 8週 |
増幅回路の入出力抵抗 |
ｈパラメータおよびＴ形等価回路による入出力抵抗の計算方法を理解する。
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| 4thQ |
| 9週 |
各種接地回路の入出力抵抗の比較 |
各種接地回路の入出力抵抗を理解する。
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| 10週 |
バイアス回路 |
各種バイアス方法を理解する。
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| 11週 |
安定指数 |
安定指数を理解する。
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| 12週 |
トランジスタの高周波等価回路 |
トランジスタの高周波等価回路を理解する。
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| 13週 |
FETのバイアス方法および等価回路 |
FET回路の各種バイアス方法を理解する。FETの等価回路を理解する。
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| 14週 |
FET回路の解析 |
FET増幅器の動作量の算出方法を理解する。
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| 15週 |
期末試験 |
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| 16週 |
総復習 |
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評価割合
| 試験 | レポート | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |