到達目標
１．磁気記録、光記録に関する問題を解くことが出来る
２．ネットワークストレージに関する問題を解くことが出来る
３．磁性材料、真空技術、薄膜作製技術、微細加工技術に関する基本的な問題を解くことができる。
４．磁気応用デバイスについて、問題を解くことができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 磁気記録、光記録に関する問題を解くことが出来る | 資料を参考にしないで正確に解くことが出来る。 | 資料を用いて解くことが出来る。 | 資料を用いても答えることが出来ない。 |
| ネットワークストレージに関する問題を解くことが出来る | 資料を参考にしないで正確に解くことが出来る。 | 資料を用いて解くことが出来る。 | 資料を用いても答えることが出来ない。 |
| 磁性材料、真空技術、薄膜作製技術、微細加工技術に関する基本的な問題を解くことができる。 | 資料を参考にしないで正確に解くことが出来る。 | 資料を用いて解くことが出来る。 | 資料を用いても答えることが出来ない。 |
| 磁気応用デバイスについて、問題を解くことができる。 | 資料を参考にしないで正確に解くことが出来る。 | 資料を用いて解くことが出来る。 | 資料を用いても答えることが出来ない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
磁気記録を中心に、情報機器への記録方法や応用技術について、講義形式で進める。
授業の進め方・方法:
到達目標１から４について、定期試験の問題によって評価し、60％以上で評価する。
注意点:
到達目標１・２・３・４の定期試験（１００％）に関する問題で評価する。また、演習等を実施し、その成果等も評価１００％に含まれる。評価の割合については実施時間の割合で換算する。評価にあたっては、自学自習課題レポートが２／３以上の提出が必須条件である。自学自習問題については、その内容を試験等に含み評価する。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
序論：メモリのハイアラーキ構造、種類
（ｵｰﾌﾟﾝ系 /ﾒｲﾝﾌﾚｰﾑ系ｻﾊﾞ、ｸﾗｱﾄROM/RAM/WORMなどに ついて調べ、次回までにレポートを提出。 ） |
磁気記録、光記録に関する問題を解くことが出来る
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| 2週 |
磁気記録：装置構造、メカトロ、サーボ、パフォマンス指標． （ストレージ、ファイルサバなどについて調べ次回ま でにレポートを提出。 ） |
磁気記録、光記録に関する問題を解くことが出来る
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| 3週 |
磁気記録：記録容量、 アクセス時間、キャッシュ、RAID （LAN、Ethernet、 IP ネットワークなどについて調べ、次回までにレポートを提出。） |
ネットワークストレージに関する問題を解くことが出来る
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| 4週 |
幾何光学
（iDC、バックアップ、リストア、アーカイブなどについて調べ、次回までにレポートを提出。） |
磁気記録、光記録に関する問題を解くことが出来る
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| 5週 |
FFT
（ディスクストレージシステムの実機性能について調べ、記述までに提出。） |
ネットワークストレージに関する問題を解くことが出来る
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| 6週 |
中間試験 |
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| 7週 |
磁性材料
（磁性材料の種類について調べ、次回までにレポートを提出。） |
磁性材料、真空技術、薄膜作製技術、微細加工技術に関する基本的な問題を解くことができる。
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| 8週 |
真空技術
（真空の測定技術について調べ、次回までにレポートを提出。） |
磁性材料、真空技術、薄膜作製技術、微細加工技術に関する基本的な問題を解くことができる。
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| 2ndQ |
| 9週 |
薄膜技術
（様々な薄膜作成法について調べ、次回までにレポート提出。） |
磁性材料、真空技術、薄膜作製技術、微細加工技術に関する基本的な問題を解くことができる。
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| 10週 |
微細加工技術
（電子デバイス作成における微細加工技術について調べ、次回までにレポート提出。） |
磁性材料、真空技術、薄膜作製技術、微細加工技術に関する基本的な問題を解くことができる。
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| 11週 |
磁気応用デバイス関連
（磁気応用デバイスについて調べ、次回までにレポート提出。） |
磁気応用デバイスについて、問題を解くことができる。
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| 12週 |
電磁界解析シミュレータによる磁界分布の観測（１）シミュレータの使い方
（電磁界解析の手法について調べ，次回までにレポートを提出．）
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磁気応用デバイスについて、問題を解くことができる。
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| 13週 |
電磁界解析シミュレータによる磁界分布の観測（２）非線形材料の取り扱い
（シミュレータを用いた解析結果と指定された課題についてレポートを作成し，次回までに提出．） |
磁気応用デバイスについて、問題を解くことができる。
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| 14週 |
電磁界解析シミュレータによる磁界分布の観測（３）素子の設計
（設計した素子の解析結果と指定された課題についてレポートを作成し，次回までに提出） |
磁気応用デバイスについて、問題を解くことができる。
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| 15週 |
総括
（今後の新しい技術について調査して提出する。） |
磁気応用デバイスについて、問題を解くことができる。
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| 16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 70 | 0 | 0 | 0 | 0 | 30 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 70 | 0 | 0 | 0 | 0 | 30 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |