| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | やや複雑な電荷分布であっても、系がつくる電位、電場、静電エネルギーを適切に計算することができる。 | 簡単な電荷系の場合なら、それがつくる電位、電場、静電エネルギーの計算ができる。 | 簡単な電荷系の場合でさえ、それがつくる電位、電場、静電エネルギーの計算ができない。 |
評価項目2 | やや複雑な形態を持つ電流系に対しても、ビオ=サバールの法則・アンペールの法則を用いた磁場の計算ができる。 | ビオ=サバールの法則・アンペールの法則を用い、簡単な電流系の磁場の計算ができる。 | 簡単な形態の電流系についてでさえ、ビオ=サバールの法則・アンペールの法則を用いて磁場の計算をすることができない。 |
評価項目3 | 複雑な状況設定の場合であっても磁場中の荷電粒子の運動に関して適切な洞察をすることができ、電磁誘導の法則に関しても適切な対応を伴って応用問題を解ける。 | 磁場中の荷電粒子の運動に関する基本的な問題が解け、電磁誘導の法則に関する簡単な応用問題も解ける。 | 磁場中の荷電粒子の運動に関する基本的な問題が解けず、電磁誘導の法則に関する簡単な応用問題も解けない。 |
評価項目4 | 誘電体中の電場および磁性体中の磁場に関し、やや複雑な設定を持つ問題であっても解くことができる。 | 誘電体中の電場および磁性体中の磁場に関する基本的な問題が解ける。 | 誘電体中の電場および磁性体中の磁場に関する基本的な問題が解けない。 |
評価項目5 | マクスウェル方程式を適用し、一般の電磁場伝幡に関する問題も解くことができる。 | 電磁場の伝幡に関する基礎的問題に対し、マクスウェル方程式を適用して解くことができる。 | 電磁場の伝幡に関する基礎的問題に対し、マクスウェル方程式を適用して解くことができない。 |