| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | エネルギーバンド描像にもとづき、金属・半導体・絶縁体の違いを詳しく説明できる。 | エネルギーバンド描像にもとづき、金属・半導体・絶縁体の違いを説明できる。 | エネルギーバンド描像にもとづき、金属・半導体・絶縁体の違いを説明できない。 |
評価項目2 | キャリアの輸送現象およびpn接合とは何かを定性的に詳しく説明できる。 | キャリアの輸送現象およびpn接合とは何かを定性的に説明できる。 | キャリアの輸送現象およびpn接合とは何かを定性的に説明できない。 |
評価項目3 | バイポーラトランジスタおよび MOSFET の仕組みと動作について、半導体物性工学の観点から詳しく説明できる。 | バイポーラトランジスタおよび MOSFET の仕組みと動作について、半導体物性工学の観点から説明できる。 | バイポーラトランジスタおよび MOSFET の仕組みと動作について、半導体物性工学の観点から説明できない。 |
評価項目4 | 原子の成り立ちを電子軌道の観点から説明でき、物質・分子の形成にかかわる結合力の種類と起源を詳しく説明できる。 | 原子の成り立ちを電子軌道の観点から説明でき、物質・分子の形成にかかわる結合力の種類と起源を説明できる。 | 原子の成り立ちを電子軌道の観点から説明でき、物質・分子の形成にかかわる結合力の種類と起源を説明できない。 |
評価項目5 | 化学反応速度を分子の衝突の観点から説明でき、その理解に基づいて化学反応の平衡状態を詳しく説明できる。 | 化学反応速度を分子の衝突の観点から説明でき、その理解に基づいて化学反応の平衡状態を説明できる。 | 化学反応速度を分子の衝突の観点から説明でき、その理解に基づいて化学反応の平衡状態を説明できない。 |