到達目標
□トランジスタなど、ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明できる。
□トランジスタレベルの論理回路の動作の解析ができる。
□CMOS論理ゲートの動作速度と消費電力を説明できる。
□ラッチおよびメモリの構成方法を説明できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | トランジスタレベルの論理回路の動作を解析できる。 | 半導体の構造、製品類、トランジスタレベルの論理回路の動作の基本定な解析ができる。 | トランジスタレベルの論理回路の動作の解析ができない。 |
評価項目2 | CMOS論理ゲートの動作速度と消費電力を説明できる。 | CMOS論理ゲートの動作速度と消費電力の基礎事項を説明できる。 | CMOS論理ゲートの動作速度と消費電力を説明できない。 |
評価項目3 | ラッチおよびメモリの構成方法を説明できる。 | ラッチおよびメモリの構成方法の基本事項を説明できる。 | ラッチおよびメモリの構成方法を説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
ディジタル集積回路を中心に、トランジスタレベルの論理ゲートの動作および構成方法について学ぶ。
この科目は企業でアナログ集積回路の設計や評価を担当していた教員が,その経験を活かし,実務で得た知見を交えながら『集積回路工学』についての授業を行う.
授業の進め方・方法:
座学
注意点:
3年および4年の『電子デバイス基礎』および『電子回路』を前提とする。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
MOSトランジスタの基本構造 |
MOSトランジスタの基本構造
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2週 |
CMOS組合わせ回路 |
基本論理ゲート
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3週 |
CMOS組合わせ回路 |
複合論理ゲート
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4週 |
集積回路の動作速度 |
MOSトランジスタ
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5週 |
集積回路の動作速度 |
寄生容量
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6週 |
CMOS回路の遅延時間 |
CMOSインバータの遅延時間
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7週 |
CMOS回路の遅延時間 |
RC遅延モデル
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8週 |
中間試験 |
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4thQ |
9週 |
伝送ゲート,CMOS記憶回路 |
伝送ゲート,ラッチ
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10週 |
CMOS記憶回路 |
フリップフロップ,SRAM
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11週 |
タイミング設計 |
同期回路とタイミング設計
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12週 |
設計方式と設計フロー |
設計方式と設計フロー
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13週 |
低消費電力設計 |
消費電力の計算
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14週 |
低消費電力設計 |
低消費電力設計技術
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15週 |
期末試験 |
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16週 |
まとめ |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
専門的能力 | 分野別の専門工学 | 情報系分野 | その他の学習内容 | トランジスタなど、ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明できる。 | 4 | |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | レポート | 合計 |
総合評価割合 | 100 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 100 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |