| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 点電荷に加え、電荷密度のある時のクーロンの法則を記述することができる。 | 点電荷におけるクーロンの法則を記述することができる。 | 点電荷におけるクーロンの法則を記述することができない。 |
評価項目2 | ガウスの法則の積分系・微分系の記述を用いて電荷が作る電場を記述することができる。 | ガウスの法則の積分系の記述を用いて電荷が作る電場を記述することができる。 | ガウスの法則の積分系の記述を用いて電荷が作る電場を記述することができない。 |
評価項目3 | 導体および誘電体と電場に関する複雑な問題が解くことができる。 | 導体および誘電体と電場に関する問題が解くことができる。 | 導体および誘電体と電場に関する問題が解くことができない。 |
評価項目4 | 電流が作る磁場を複雑な状況において計算できる | 電流が作る磁場を簡単な状況において計算できる | 電流が作る磁場を計算することができない |
評価項目5 | 電磁誘導の法則を微分形と積分形で理解することができる | 電磁誘導の法則を積分形で理解することができる | 電磁誘導の法則が理解できない |
評価項目6 | マックスウェル方程式から電磁波解を導くことができる | マックスウェル方程式を書き下すことができる | マックスウェル方程式を書くことができない |