到達目標
1.ダイオード、トランジスタおよびFETの動作,等価回路,特徴を説明できる。
2.基本増幅回路の動作を理解し、解析することができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 電子回路の基礎となるダイオード、トランジスタおよびFET構造と動作の特徴を説明できる | 電子回路の基礎となるダイオードおよびトランジスタの構造と動作の特徴を説明できる | 電子回路の基礎となるダイオード、トランジスタの構造と動作の特徴を説明できない |
評価項目2 | 増幅回路の動作を理解し、トランジスタを用いた基本増幅回路を解析することができる | 増幅回路の動作を理解し、トランジスタを用いた基本増幅回路について説明できる | 増幅回路の動作を説明できない |
評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
準学士課程 2(2)
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準学士課程 2(3)
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JABEE B-2
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教育方法等
概要:
この科目は,企業において,電子回路の設計に従事していた教員がその経験を生かし,電子回路の基礎について講義形式で授業を行うものである。
現代社会に欠かせない電子機器において、電子回路は基本技術として重要な位置にある。
トランジスタやICの基本特性や、これらを用いた増幅回路やその他応用回路について、学習する。
動作を理解するだけでなく、基本的な電子回路の解析ができる基礎能力を養うことを目標にしている。
授業の進め方・方法:
教科書に沿って講義を進め、必要に応じて演習を取り入れる。
今までに学んだ電気回路や電子工学の知識を使い、等価回路を書いて解析する。
事後学習として演習課題を課す。
注意点:
修得のためには、自分で演習問題を解くことが必要である。
配布する演習問題や教科書の章末演習問題などを解いて力をつける。
不明な点はそのままにせず、授業内外を問わず積極的に質問すること。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
半導体の基礎、真性半導体と不純物半導体(p形半導体とn形半導体) |
半導体の特徴について説明できる。p形半導体とn形半導体の性質について説明できる。(MCC)
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2週 |
半導体のpn接合のエネルギーバンド図、ダイオードの電流・電圧特性 |
半導体のpn接合のエネルギーバンド図、およびダイオードの電流・電圧特性を説明できる。(MCC)
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3週 |
ダイオードの交流特性と交流等価抵抗。バイポーラトランジスタの構造 |
ダイオードの交流等価抵抗を求めることができ、トランジスタの構造を説明できる。(MCC)
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4週 |
バイポーラトランジスタの静特性 |
トランジスタの静特性を説明できる。(MCC)
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5週 |
バイポーラトランジスタの交流等価回路(小信号等価回路) |
トランジスタの交流等価回路(小信号等価回路)を描いて、解析することができる。(MCC)
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6週 |
電界効果トランジスタ(FET)の構造および静特性 |
電界効果トランジスタの(FET)の構造および静特性を説明できる。(MCC)
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7週 |
電界効果トランジスタ(FET)の交流特性と交流等価回路(小信号等価回路) |
電界効果トランジスタの(FET)の交流等価回路(小信号等価回路)を描いて、解析することができる。(MCC)
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8週 |
中間試験 |
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2ndQ |
9週 |
トランジスタの基本増幅回路(1) バイアス回路 |
トランジスタのバイアス回路について説明できる。(MCC)
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10週 |
トランジスタの基本増幅回路(2) ベース接地増幅回路とエミッタ接地増幅回路 |
トランジスタのベース接地およびエミッタ接地増幅回路の特徴を説明できる。(MCC)
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11週 |
トランジスタの基本増幅回路(3) コレクタ接地増幅回路 |
トランジスタのコレクタ接地増幅回路の特徴を説明できる。(MCC)
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12週 |
FETの基本増幅回路(1) バイアス回路 |
FETのバイアス回路について説明できる。(MCC)
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13週 |
FETの基本増幅回路(2) ソース接地、ドレイン接地、ゲート接地増幅回路 |
FETのソース接地、ゲート接地、およびドレイン接地増幅回路の特徴を説明できる。(MCC)
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14週 |
増幅回路の整合、増幅回路の縦続接続 |
増幅回路の整合、増幅回路の縦続接続について説明できる。(MCC)
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15週 |
まとめと復習 |
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16週 |
定期試験 |
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評価割合
| 試験 | 課題 | | 合計 |
総合評価割合 | 80 | 20 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 80 | 20 | 0 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 |