到達目標
電子回路の基礎分野としてダイオード、トランジスタなどの半導体素子、信号等価回路、基本増幅回路などについて学び、計算や説明をすることができることを目標とする。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | ・ ダイオード、バイポーラトランジスタ、ＦＥＴについてその動作と特性を理解し、計算ができる。 | ・ ダイオード、バイポーラトランジスタ、ＦＥＴについてその動作と特性を理解できる。 | ・ ダイオード、バイポーラトランジスタ、ＦＥＴについてその動作と特性を理解できない。 |
| 評価項目2 | ・ 信号等価回路の原理を理解し回路の計算ができる。 | ・ 信号等価回路の原理を理解できる。 | ・ 信号等価回路の原理を理解できない。 |
| 評価項目3 | ・ 基本増幅回路の原理を理解し回路の計算ができる。 | ・ 基本増幅回路の原理を理解できる。 | ・ 基本増幅回路の原理を理解できない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
電子回路の基礎分野としてダイオード、トランジスタなどの半導体素子、信号等価回路、基本増幅回路などについて学ぶ．
授業の進め方・方法:
基本的に教科書に沿って講義を進めるが、教科書で不十分な項目についてはプリントを配布し補足する．
講義を行うと共に演習課題を課し、レポートとして提出させる.
授業90分に対して教科書、配布プリントなどを活用して180分以上の予習、復習を行うこととする.
注意点:
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
・ 半導体素子 |
・ ダイオードの動作と特性
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| 2週 |
・ 半導体素子 |
・ バイポーラトランジスタの動作と特性
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| 3週 |
・ 半導体素子 |
・ ＦＥＴの動作と特性
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| 4週 |
・ 信号等価回路(1) |
・ 低周波等価回路
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| 5週 |
・ 信号等価回路(1) |
・ 高周波等価回路
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| 6週 |
・ 信号等価回路(1) |
・ Ｔ型等価回路とｈパラメータ(1)
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| 7週 |
演習 |
・ 前期１〜６週の内容の復習
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| 8週 |
前期中間試験 |
・ 前期中間試験までの学習内容
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| 2ndQ |
| 9週 |
・ 信号等価回路(2) |
・ Ｔ型等価回路とｈパラメータ(2)
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| 10週 |
・ 信号等価回路(2) |
・ Ｔ型等価回路とｈパラメータ(2)
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| 11週 |
・ 基本増幅回路(1) |
・ バイアス回路
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| 12週 |
・ 基本増幅回路(1) |
・ バイアス回路
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| 13週 |
・ 基本増幅回路(1) |
・ 基本増幅回路のバイアス設計
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| 14週 |
・ 基本増幅回路(1) |
・ 基本増幅回路のバイアス設計
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| 15週 |
演習 |
・ 前期９〜１４週の内容の復習
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| 16週 |
前期定期試験 |
・ 前期中間試験以降の学習内容
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | ダイオードの特徴を説明できる。 | 4 | |
| バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
| FETの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
| トランジスタ増幅器のバイアス供給方法を説明できる。 | 4 | |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | レポート | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 80 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |