到達目標
・ 各種ダイオードの特性を説明できる．
・ トランジスタの特徴，各種接地方式の特徴を説明できる．
・ トランジスタによるスイッチング回路が設計できる．
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 各種ダイオードの特徴が説明できて，適切なダイオードの選定ができる． | 各種ダイオードの説明ができる． | ダイオードの特徴が把握できてい ない． |
| 評価項目2 | トランジスタの特徴，各種接地方 式の特徴を説明できる． | トランジスタの特徴を説明できる ． | トランジスタの特徴が把握できて いない． |
| 評価項目3 | トランジスタによるスイッチング 回路の設計ができる． | トランジスタによるスイッチング 回路の構成が理解できる． | トランジスタをスイッチング素子として扱うことができない． |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
ダイオード，トランジスタを使った電子回路について学習をおこなう．
授業の進め方・方法:
座学が中心となるが，現象の理解を深めるために適宜シミュレーション結果の提示や実際にシミュレーションをおこな ってもらうことがある．
注意点:
回路パラメータが変化すると，特性にどんな影響があるのか把握するために，シミュレータを有効活用して欲しい．さ らに時間的余裕があれば，自ら回路製作をおこなって，理論-シミュレーション-実機それぞれの差異について検討をおこ なって欲しい．
学修単位科目であるため，事前・事後学習として，講義内容に適したテキストを事前配布するとともにレポート課題を実施する．
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
ガイダンスおよび必要な知識の確認 |
講義の目標や進め方，必要な知識，評価方法について説明 する
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| 2週 |
シミュレータの使用方法解説 |
過渡応答，周波数特性解析ができる
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| 3週 |
ダイオードの特徴 |
ダイオードの特徴を説明できる
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| 4週 |
ダイオードを使った整流・保護回路 |
出力波形概略を描くことができる
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| 5週 |
トランジスタの特徴 |
トランジスタの特徴を説明できる
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| 6週 |
トランジスタの各種接地方式 |
各種接地方式の特徴を説明できる
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| 7週 |
まとめ |
中間試験までのまとめをおこなう
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| 8週 |
中間試験 |
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| 4thQ |
| 9週 |
中間試験返却，内容説明 |
前期中間試験の解説，今後の予定を説明する
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| 10週 |
トランジスタの各種バイアス回路 |
各種バイアス回路の説明ができる
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| 11週 |
CR結合増幅回路1 |
CR結合増幅回路の理論計算ができる
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| 12週 |
CR結合増幅回路2
エミッタフォロワ回路1 |
CR結合増幅回路の設計ができる．
エミッタフォロワ回路の理論計算ができる
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| 13週 |
エミッタフォロワ回路2 |
エミッタフォロワ回路の設計ができる
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| 14週 |
プッシュプル・エミッタフォロワ回路 |
プッシュプル・エミッタフォロワ回路の動作原理が理解できる
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| 15週 |
まとめ |
定期試験までのまとめをおこなう
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| 16週 |
前期定期試験 |
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評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | 演習 | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 80 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |