集積回路工学

科目基礎情報

学校 木更津工業高等専門学校 開講年度 平成29年度 (2017年度)
授業科目 集積回路工学
科目番号 0051 科目区分 専門 / 選択
授業形態 授業 単位の種別と単位数 学修単位: 2
開設学科 制御・情報システム工学専攻 対象学年 専2
開設期 後期 週時間数 2
教科書/教材 適宜プリントを配布
担当教員 坂元 周作

到達目標

(B-2)最も得意とする専門分野の知識と能力を身につける。

ルーブリック

理想的な到達レベルの目安標準的な到達レベルの目安未到達レベルの目安
集積回路集積回路について内部構造などを含め説明することができる集積回路について説明することができる集積回路について説明することができない。
論理回路集積回路に必要な論理回路について説明し、簡単な回路を設計することができる集積回路に必要な論理回路について説明することができる集積回路に必要な論理回路について説明することができない
メモリ半導体等を用いた各種メモリについて構造や特徴を含め説明することができる半導体等を用いた各種メモリについて説明することができる半導体等を用いた各種メモリについて説明することができない

学科の到達目標項目との関係

教育方法等

概要:
集積回路に必要な知識について現在の状況を踏まえ解説し、集積回路設計に必要な基本知識を身につける。
授業の進め方・方法:
講義を中心に行い、適宜レポートを課す。
注意点:
いろいろな分野の複合内容となるため、基本的な科目と連携して理解すること。

授業計画

授業内容 週ごとの到達目標
後期
3rdQ
1週 ガイダンス 授業の進め方などについて理解する
2週 集積回路の構造 集積回路の構造について学び、理解することができる
3週 半導体の基礎、バイポーラトランジスタ 集積回路に用いられる半導体とバイポーラトランジスタについて説明できる
4週 MOSトランジスタ 集積回路に用いられるMOSトランジスタについて説明できる
5週 ダイオード、抵抗、容量の作り方とレイアウト 集積回路に用いられるダイオード、抵抗、容量の作り方とレイアウトについて説明や計算ができる
6週 ディジタルIC ディジタルICについて説明することができる
7週 CMOS回路の解析(1) CMOS回路の特性について説明することができる
8週 CMOS回路の解析(2) CMOS回路について、回路の特性などを計算することができる
4thQ
9週 最近のI/F規格、IC、メモリの分類 最近のI/F規格、IC、メモリについて説明することができる
10週 メモリセルの動作原理 メモリセルの動作原理について説明することができる
11週 最近の高速DRAM,ROM(含FLASHメモリ)の回路動作 最近の高速DRAM,ROM(含FLASHメモリ)の回路動作について説明することができる
12週 新しい半導体メモリ 新しい半導体メモリについて説明することができる
13週 メモリ以外のLSI,LSI設計開発の流れ メモリ以外のLSI,LSI設計開発の流れについて説明することができる
14週 設計での考慮事項,信頼性,降圧・昇圧回路 設計での考慮事項,信頼性,降圧・昇圧回路について説明することができる
15週 試験前演習 これ学んできたことを生かして計算および説明することができる
16週 試験返却および解説 試験内容を確認し、間違えた問題についてを正しく理解することができる

モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標

分類分野学習内容学習内容の到達目標到達レベル授業週

評価割合

試験レポート合計
総合評価割合8020100
基礎的能力301040
専門的能力20626
分野横断的能力30434