到達目標
（Ｂ-2）最も得意とする専門分野の知識と能力を身につける。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 集積回路 | 集積回路について内部構造などを含め説明することができる | 集積回路について説明することができる | 集積回路について説明することができない。 |
| 論理回路 | 集積回路に必要な論理回路について説明し、簡単な回路を設計することができる | 集積回路に必要な論理回路について説明することができる | 集積回路に必要な論理回路について説明することができない |
| メモリ | 半導体等を用いた各種メモリについて構造や特徴を含め説明することができる | 半導体等を用いた各種メモリについて説明することができる | 半導体等を用いた各種メモリについて説明することができない |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
集積回路に必要な知識について現在の状況を踏まえ解説し、集積回路設計に必要な基本知識を身につける。
授業の進め方・方法:
講義を中心に行い、適宜レポートを課す。
注意点:
いろいろな分野の複合内容となるため、基本的な科目と連携して理解すること。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
ガイダンス |
授業の進め方などについて理解する
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| 2週 |
集積回路の構造 |
集積回路の構造について学び、理解することができる
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| 3週 |
半導体の基礎、バイポーラトランジスタ |
集積回路に用いられる半導体とバイポーラトランジスタについて説明できる
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| 4週 |
MOSトランジスタ |
集積回路に用いられるMOSトランジスタについて説明できる
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| 5週 |
ダイオード、抵抗、容量の作り方とレイアウト |
集積回路に用いられるダイオード、抵抗、容量の作り方とレイアウトについて説明や計算ができる
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| 6週 |
ディジタルIC |
ディジタルICについて説明することができる
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| 7週 |
CMOS回路の解析（1） |
CMOS回路の特性について説明することができる
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| 8週 |
CMOS回路の解析（2） |
CMOS回路について、回路の特性などを計算することができる
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| 4thQ |
| 9週 |
最近のI/F規格、IC、メモリの分類 |
最近のI/F規格、IC、メモリについて説明することができる
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| 10週 |
メモリセルの動作原理 |
メモリセルの動作原理について説明することができる
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| 11週 |
最近の高速DRAM，ROM（含FLASHメモリ）の回路動作 |
最近の高速DRAM，ROM（含FLASHメモリ）の回路動作について説明することができる
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| 12週 |
新しい半導体メモリ |
新しい半導体メモリについて説明することができる
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| 13週 |
メモリ以外のＬＳＩ，ＬＳＩ設計開発の流れ |
メモリ以外のＬＳＩ，ＬＳＩ設計開発の流れについて説明することができる
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| 14週 |
設計での考慮事項，信頼性，降圧・昇圧回路 |
設計での考慮事項，信頼性，降圧・昇圧回路について説明することができる
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| 15週 |
試験前演習 |
これ学んできたことを生かして計算および説明することができる
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| 16週 |
試験返却および解説 |
試験内容を確認し、間違えた問題についてを正しく理解することができる
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | レポート | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 20 | 100 |
| 基礎的能力 | 30 | 10 | 40 |
| 専門的能力 | 20 | 6 | 26 |
| 分野横断的能力 | 30 | 4 | 34 |