| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 最低限の到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 半導体の材料、結晶構造を理解し、説明することができる。 | 半導体の材料、結晶構造を理解し、説明することができる。 | 半導体の材料、結晶構造の基礎知識がある。 | 半導体の材料、結晶構造の基礎知識がない。 |
評価項目2 | 半導体の電子エネルギーバンド構造を理解し、説明することができる。 | 半導体の電子エネルギーバンド構造を理解できる。 | 半導体の電子エネルギーバンド構造の基礎を知っている。 | 半導体の電子エネルギーバンド構造の基礎知識がない。 |
評価項目3 | 半導体中のキャリア輸送現象を理解し、説明することができる。 | 半導体中のキャリア輸送現象を理解できる。 | 半導体中のキャリア輸送現象の基礎を知っている。 | 半導体中のキャリア輸送現象の基礎知識がない。 |
評価項目4 | PN接合の動作をバンド図等から理解し、説明することができる。 | PN接合の動作を理解し、概要を説明することができる。 | PN接合の基礎的な動作の基礎知識を知っている。 | PN接合の基礎的な動作の基礎知識がない。 |
評価項目5 | ダイオードの動作をバンド図等から理解し、説明することができる。 | ダイオードの動作を理解し、概要を説明することができる。 | ダイオードの動作の基礎的な理解をしている。 | ダイオードの動作の基礎的な知識がない。 |
評価項目6 | バイポーラトランジスタの動作をバンド図等から理 | バイポーラトランジスタの動作を理解し、概要を説明することができる。 | バイポーラトランジスタの基礎的な動作を説明できる。 | バイポーラトランジスタの動作を説明できない。 |
評価項目7 | MOSFETの動作をバンド図等から理解し、説明することができる。 | MOSFETの動作を理解し、概要を説明することができる。 | MOSFETの基礎的な動作を説明できる。 | MOSFETの動作を説明できない。 |