到達目標
JABEEにおいては、C-6：各専攻において必要とする専門工学の基礎知識を身につけ、応用することができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | | | |
| 評価項目2 | | | |
| 評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
物性工学は新機能デバイスや新製品開発において極めて重要な分野である。電子デバイス動作の基礎となる固体内での電子の振る舞いを学ぶ。一昨年度カリキュラムが一斉に変更になり、過渡的な状況であるので、電子物性に加えて電子デバイスの基礎的な内容も盛り込む。
授業の進め方・方法:
本学科のカリキュラムは情報・通信、電子物性・デバイス、エネルギー・制御の３分野で構成されており、本科目は電子物性・デバイス分野に位置している。電子物性の基礎的な科目を理解した上で、固体内の電子の振る舞いを学ぶ。
注意点:
電磁気学、応用物理、電子物性の基礎的な事項を良く理解しておくこと。また授業の予習・復習及び演習については自学自習により取り組み学修すること。板書をノートに取ること。また配付した資料は整理しておくこと。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
ガイダンスおよびイントロダクション |
物質の構成について理解する
バンドギャップによる材料違いを理解する
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| 2週 |
真空の電子
粒子としての電子，電子の波動性 |
電子の粒子として波としてのふるまいを理解する
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| 3週 |
固体中の電子
原子のエネルギー準位，固体中の価電子の振る舞い |
元素の構成と物質の構成を理解する
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| 4週 |
電気伝導と伝導体の種類
電気伝導のメカニズム，絶縁体，半導体，移動度（１） |
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| 5週 |
電気伝導と伝導体の種類
電気伝導のメカニズム，絶縁体，半導体，移動度（２） |
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| 6週 |
半導体中のキャリア濃度
フェルミ準位，真性半導体，不純物半導体，ホール効果（１） |
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| 7週 |
半導体中のキャリア濃度
フェルミ準位，真性半導体，不純物半導体，ホール効果（２） |
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| 8週 |
pn接合の電気的特性
pn接合の物理，pn接合を流れる電流，逆方向飽和電流 バイポーラトランジスタ 基本構造，トランジスタ作用，電気的特性（１） |
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| 2ndQ |
| 9週 |
演習 |
前半の演習
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| 10週 |
pn接合の電気的特性
pn接合の物理，pn接合を流れる電流，逆方向飽和電流 バイポーラトランジスタ 基本構造，トランジスタ作用，電気的特性（２） |
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| 11週 |
電界効果トランジスタ
基本構造，動作メカニズム，電気的特性 |
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| 12週 |
オプトエレクトロニクス
化合物半導体，光－電気変換素子，電気－光変換素子（１） |
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| 13週 |
オプトエレクトロニクス
化合物半導体，光－電気変換素子，電気－光変換素子（２） |
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| 14週 |
プロセス技術
プレーナプロセスの特徴，前工程，後工程，周辺技術 |
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| 15週 |
総復習 |
総まとめ
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| 16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 100 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 100 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 専門的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |