到達目標
【目的】
ダイオード、トランジスタの基礎的な理論を理解するとともに、それに関連する計算を行うことができる。
【到達目標】
１．半導体素子について理解し、説明することができる。
２．ダイオード回路について理解し、説明することができる。
３．トランジスタ増幅器について理解し、計算することができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 最低限の到達レベルの目安(可) | 未到達レベルの目安 |
| 半導体素子 | 半導体素子を100%理解している。 | 半導体素子を80%理解している。 | 半導体素子を60%理解している。 | 半導体素子をを理解していない。 |
| ダイオード回路 | ダイオード回路を100%理解している。 | ダイオード回路を80%理解している。 | ダイオード回路を60%理解している。 | ダイオード回路を理解していない。 |
| トランジスタ増幅器 | トランジスタ増幅器を100%理解している。 | トランジスタ増幅器を80%理解している。 | トランジスタ増幅器を60%理解している。 | トランジスタ増幅器を理解していない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
本科目は電気工学科で学ぶ電子回路のうちの１科目であり、電気電子技術者に必要な知識と技術を修得するために、電子回路の基本的な能動素子、増幅回路の特性と動作を学ぶ。
授業の進め方・方法:
授業は教員による教科書と板書を中心にした形式である。適宜演習問題を各自に解いてもらう。
注意点:
自学自習は必須であるので、各自取り組むこと。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
科目の概要、電子回路の基礎 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 2週 |
電子回路の基礎 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 3週 |
半導体素子 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 4週 |
半導体素子 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 5週 |
半導体回路の基本解析法 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 6週 |
半導体回路の基本解析法 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 7週 |
ダイオード回路 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 8週 |
ダイオード回路 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 4thQ |
| 9週 |
中間試験 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 10週 |
トランジスタ増幅器(基本原理とバイアス) |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 11週 |
トランジスタ増幅器(基本原理とバイアス) |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 12週 |
トランジスタ増幅器(基本原理とバイアス) |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 13週 |
トランジスタ増幅器(小信号特性解析) |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 14週 |
トランジスタ増幅器(小信号特性解析) |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 15週 |
まとめ |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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| 16週 |
期末試験 |
基礎項目を説明でき、計算できる。
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | ダイオードの特徴を説明できる。 | 4 | |
| バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
| FETの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
| 利得、周波数帯域、入力・出力インピーダンス等の増幅回路の基礎事項を説明できる。 | 4 | |
| トランジスタ増幅器のバイアス供給方法を説明できる。 | 4 | |
評価割合
| 試験 | レポート | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 40 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 60 |
| 専門的能力 | 40 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 40 |