固体電子工学Ⅰ

科目基礎情報

学校 東京工業高等専門学校 開講年度 平成28年度 (2016年度)
授業科目 固体電子工学Ⅰ
科目番号 0015 科目区分 専門 / 必修
授業形態 授業 単位の種別と単位数 履修単位: 1
開設学科 電子工学科 対象学年 4
開設期 前期 週時間数 2
教科書/教材 プリント配布
担当教員 永吉 浩

目的・到達目標


量子論、固体中の電子の振る舞いの基礎について理解を深め、半導体デバイスの動作原理基礎を理論的に理解できるよう




量子



論、固体中の電子の振る舞いの基礎について理解を深め、半導体デバイスの動作原理基礎を理論的に理解できるよう



量子論、固体中の電子の振る舞いの基礎について理解を深め、半導体デバイスの動作原理基礎を理論的に理解できるようにする。

ルーブリック

理想的な到達レベルの目安標準的な到達レベルの目安未到達レベルの目安
評価項目1量子現象の概念をよく理解できる量子現象について知っている量子現象が何かわからない
評価項目2エネルギーバンド構造の概念をよく理解し、半導体の性質を説明できるバンド図を使ってキャリア濃度の温度依存性を説明できるエネルギーバンドの意味が全く分からない
評価項目3キャリアの移動について方程式を立てることを理解し、抵抗率との関係をよく理解している抵抗率と移動度、キャリア濃度を表す式を知っているキャリアの流れと抵抗率との関係が全く分からない

学科の到達目標項目との関係

教育方法等

概要:
授業の進め方と授業内容・方法:
注意点:

授業計画

授業内容・方法 週ごとの到達目標
前期
1stQ
1週 量子論概説、黒体輻射 黒体輻射、プランクの式、不確定性原理等の量子論の基本概念が理解できる。
2週
3週
4週 ボーア模型、 光電効果、電子波 ボーアの原子模型、光電効果について量子論的視点から理解できる。
5週
6週
7週 シュレーディンガー方程式 シュレーディンガー方程式の基礎が理解できる。
8週
2ndQ
9週
10週 半導体中のキャリア濃度
固体中の電子状態についての基礎的なことが理解できる。状態密度、フェルミ分布関数について理解で






固体中の電子状態についての基礎的なことが理解できる


           




  る。
11週
12週 半導体の抵抗率、ホール効果 半導体中のキャリア濃度、抵抗率、ホール効果について理解し、これらに関する基本的な問題が解ける
13週
14週 半導体中のキャリアの流れ 半導体中のキャリアの流れについて理解できる。
15週
16週

評価割合

試験発表相互評価態度ポートフォリオその他合計
総合評価割合0000000
基礎的能力0000000
専門的能力0000000
分野横断的能力0000000