到達目標
PN接合ダイオード、バイポーラトランジスタ、MOSFETの動作原理を理解する。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | PNダイオードの特性をよく理解している | PNダイオードのバンド図は掛ける。 | |
| 評価項目2 | | | |
| 評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
PN接合ダイオード、バイポーラトランジスタ、MOSFETの動作原理を理解する。
授業の進め方・方法:
演習を加えながら進める
注意点:
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
キャリアの発生再結合 |
半導体中キャリアの発生再結合について理解できる
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| 2週 |
キャリアの発生再結合 |
半導体中キャリアの発生再結合について理解できる
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| 3週 |
キャリアの発生再結合 |
半導体中キャリアの発生再結合について理解できる
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| 4週 |
PN接合 |
PN接合基本動作のイメージ理解
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| 5週 |
PN接合 |
PN接合基本動作のイメージ理解
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| 6週 |
PN接合 |
ポアソン方程式を解いて空乏層部分の電位分布を導ける
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| 7週 |
PN接合 |
空乏層幅と不純物濃度の関係などについて理解する
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| 8週 |
PN接合 |
接合容量について理解する
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| 4thQ |
| 9週 |
PN接合 |
ダイオード電流電圧特性の式を導くことができる
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| 10週 |
PN接合 |
ダイオード電流電圧特性の式を導くことができる
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| 11週 |
ツエナーダイオード |
ツエナーダイオードの動作原理を理解する
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| 12週 |
バイポーラトランジスタ |
バイポーラトランジスタの動作イメージを理解する
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| 13週 |
バイポーラトランジスタ |
バイポーラトランジスタの動作イメージを理解する
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| 14週 |
バイポーラトランジスタ |
実際のデバイス、デバイス構造の変遷について理解する
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| 15週 |
MOSFET |
MOSダイオードの理解
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| 16週 |
MOSFET |
MOSFETの動作についてイメージ的な理解ができる
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | ダイオードの特徴を説明できる。 | 3 | |
| バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | 2 | |
| FETの特徴と等価回路を説明できる。 | 2 | |
| 電子工学 | 半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 2 | |
| pn接合の構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流―電圧特性を説明できる。 | 2 | |
| バイポーラトランジスタの構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。 | 2 | |
| 電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。 | 2 | |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 100 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 100 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |