到達目標
半導体を中心にした電子材料に関わる物性論の基礎を学習し、さらに実験を含めることにより各種電子材料、半導体材料の性質を体験的に学習する。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 実験のまとめと考察がきちんとできている | 実験結果と考察が述べられている | 原理説明が行われていない |
| 評価項目2 | | | |
| 評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
半導体の材料的理解を深めるために前半は講義を行い、後半は実験を通じて理解を深める。
授業の進め方・方法:
前半は講義、後半は半導体材料に関連した実験を行う。
注意点:
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
半導体の材料的性質 |
半導体の分類を理解する
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| 2週 |
半導体の材料的性質 |
各種半導体デバイスと使用材料
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| 3週 |
半導体の材料的性質 |
半導体に関連した結晶構造を理解する
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| 4週 |
半導体の材料的性質 |
ミラー指数を理解する
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| 5週 |
半導体の材料的性質 |
各種半導体製造方法を理解する
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| 6週 |
半導体の材料的性質 |
半導体デバイス開発史 最先端デバイスの紹介
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| 7週 |
各種物性評価法の概説 |
X線構造解析
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| 8週 |
各種物性評価法の概説 |
各種表面分析法を理解する
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| 4thQ |
| 9週 |
各種材料の導電率、導電率の温度依存性 |
シンプルな実験を通じて半導体物性に親しむ
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| 10週 |
半導体のpｎ判定、光導電率 |
シンプルな実験を通じて半導体物性に親しむ
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| 11週 |
散層を形成したシリコンチップの特性評価 |
シンプルな実験を通じて半導体物性に親しむ
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| 12週 |
各種ダイオードの性質、半導体開発の歴史、プロセス技術 |
シンプルな実験を通じて半導体物性に親しむ
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| 13週 |
光起電力、太陽電池 |
シンプルな実験を通じて半導体物性に親しむ
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| 14週 |
ホール効果 |
シンプルな実験を通じて半導体物性に親しむ
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| 15週 |
偏光・液晶ディスプレイの基礎 |
シンプルな実験を通じて半導体物性に親しむ
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| 16週 |
点接触ダイオードの作製実験 |
シンプルな実験を通じて半導体物性に親しむ
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | ダイオードの特徴を説明できる。 | 2 | |
| バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | 2 | |
| FETの特徴と等価回路を説明できる。 | 2 | |
| 電子工学 | 真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 2 | |
| 半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 2 | |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |