| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1
電磁界中の電子 | 電磁界中における電子の振る舞いを十分に理解し、正しく説明することができる | 電磁界中における電子の振る舞いを理解し、説明することができる | 電磁界中における電子の振る舞いを理解し、説明することができない |
評価項目2
固体中の電子 | 固体中における電子の振る舞いを十分に理解し、正しく説明することができる | 固体中における電子の振る舞いを理解し、説明することができる | 固体中における電子の振る舞いを理解し、説明することができない |
評価項目3
p-n接合 | バンド図を用いてp-n接合を十分に理解し、整流作用について正しく説明できる | バンド図を用いてp-n接合を理解し、整流作用について説明できる | バンド図を用いてp-n接合を理解し、整流作用について説明できない |
評価項目4
MOSFET | MOSFETの構造と原理を十分に理解し、正しく説明できる | MOSFETの構造と原理を理解し、説明できる | MOSFETの構造と原理を理解し、説明できない |
評価項目4
光デバイスとデバイス作製技術 | 光デバイス、デバイス作製技術について十分に理解し、正しく説明することができる | 光デバイス、デバイス作製技術について理解し、説明することができる | 光デバイス、デバイス作製技術について理解し、説明することができない |