| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 最低限の到達レベルの目安(可) | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 集積回路プロセスの概要を理解し、各プロセスについて説明できる。 | 集積回路プロセスの概要を理解している。 | 集積回路プロセスの概要について、用語を知っている。 | 集積回路プロセスの概要、各プロセスについて知らない。 |
評価項目2 | Siウエハ作製技術について複数知っており、理論的に理解できている。 | Siウエハ作製技術について知っており、概要を説明できる。 | Siウエハ作製技術について、用語を知っている。 | Siウエハ作製技術について概要を知らない |
評価項目3 | 酸化膜作製技術について複数知っており、理論的に理解できている。 | 酸化膜作製技術について複数知っており、概要を説明できる。 | 酸化膜作製技術について、用語を知っている。 | 酸化膜作製技術について概要を知らない。 |
評価項目4 | 薄膜作成技術について複数知っており、理論的に理解できている。 | 薄膜作成技術について複数知っており、概要を説明できる。 | 薄膜作成技術について、用語を知っている。 | 薄膜作成技術について概要を知らない。 |
評価項目5 | ドーピング技術について複数知っており、理論的に理解できている。 | ドーピング技術について複数知っており、概要を説明できる。 | ドーピング技術について、用語を知っている。 | ドーピング技術について概要を知らない。 |
評価項目6 | フォトリソグラフィ技術について複数知っており、理論的に理解できている。 | フォトリソグラフィ技術について複数知っており、概要を説明できる。 | フォトリソグラフィ技術について、用語を知っている。 | フォトリソグラフィ技術について概要を知らない。 |
評価項目7 | 集積回路デバイス作成技術について複数知っており、理論的に理解できている。 | 集積回路デバイス作成技術について複数知っており、概要を説明できる。 | 集積回路デバイス作成技術について、用語を知っている。 | 集積回路デバイス作成技術について概要を知らない。 |